MOSFET Infineon, canale N 60 V, 3.5 mΩ Miglioramento, 100 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD100N06S403ATMA2

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
215-2502
Codice costruttore:
IPD100N06S403ATMA2
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

OptiMOS-T2

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.3V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

128nC

Dissipazione di potenza massima Pd

150W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il transistor di potenza Infineon OptiMOS®-T2 è dotato di MOSFET per uso automobilistico a canale N con tensione di sorgente massima di drain di 100V, con contenitore DPAK(TO-252).

Canale N - modalità potenziata

MSL1 con riflusso di picco fino a 260 °C

Temperatura d'esercizio: 175 °C

RDSon ultra basso

ID ultra elevato

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