MOSFET Infineon, canale N 60 V, 300 mΩ Miglioramento, 25 A, 3 Pin, TO-252, Superficie
- Codice RS:
- 215-2503
- Codice costruttore:
- IPD25N06S4L30ATMA2
- Costruttore:
- Infineon
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 215-2503
- Codice costruttore:
- IPD25N06S4L30ATMA2
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 25A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Serie | OptiMOS-T2 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 300mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 29W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 16.3nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 25A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Serie OptiMOS-T2 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 300mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 29W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 16.3nC | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET Infineon serie OptiMOS-T2, tensione massima della sorgente di drenaggio di 60 V, corrente di drenaggio continua massima di 25 A - IPD25N06S4L30ATMA2
Questo MOSFET è un transistor di commutazione di potenza progettato per applicazioni a montaggio superficiale in cui è richiesta una robusta gestione della corrente e un'ampia gamma di temperature. Funziona come dispositivo a canale N in modalità di potenziamento ed è adatto per i circuiti che necessitano di conduzione controllata tra il drenaggio e la sorgente sotto l'azionamento del gate applicato. Il componente è presentato in un contenitore TO-252 per il montaggio su circuito stampato e accoglie le tensioni di gate drive tipiche utilizzate in stadi di potenza discreti.
Caratteristiche e vantaggi:
• La tensione nominale di drenaggio di 60 V consente l'uso di sistemi a media tensione
• La corrente continua di 25 A supporta la commutazione ad alto carico
• L'Rds(on) massimo di 300 mΩ riduce le perdite di conduzione
• La dissipazione di potenza massima di 29 W gestisce lo stress termico
• La carica di gate tipica di 16,3 nC consente una commutazione più rapida
• La tensione nominale di gate di ±20 V tollera le escursioni di gate comuni
• La corrente continua di 25 A supporta la commutazione ad alto carico
• L'Rds(on) massimo di 300 mΩ riduce le perdite di conduzione
• La dissipazione di potenza massima di 29 W gestisce lo stress termico
• La carica di gate tipica di 16,3 nC consente una commutazione più rapida
• La tensione nominale di gate di ±20 V tollera le escursioni di gate comuni
Applicazioni
• Adatto per gli stadi di commutazione dei convertitori CC-CC
• Ideale per il raddrizzamento sincrono negli alimentatori
• Utilizzato con configurazioni a mezzo ponte con azionamento a motore
• Può essere utilizzato per gli elementi di commutazione della gestione della batteria
• Adatto per la commutazione di potenza a bassa tensione per impieghi generali
• Ideale per il raddrizzamento sincrono negli alimentatori
• Utilizzato con configurazioni a mezzo ponte con azionamento a motore
• Può essere utilizzato per gli elementi di commutazione della gestione della batteria
• Adatto per la commutazione di potenza a bassa tensione per impieghi generali
Quali temperature ambientali può sopportare durante il funzionamento?
Funziona in un'ampia gamma da -55 °C a 150 °C, consentendo l'implementazione in ambienti termici estremi.
In che modo il valore di carica gate influisce sulle prestazioni di commutazione?
Una carica di gate tipica di 16,3 nC determina l'energia di azionamento richiesta e influisce sulla velocità di commutazione e sulla dimensione del driver per transizioni efficienti.
Quali sono le considerazioni di montaggio rilevanti per la gestione termica?
Il contenitore per montaggio superficiale TO-252 richiede un'adeguata area di rivestimento in rame e vie termiche sul circuito stampato per dissipare il calore e soddisfare la capacità di dissipazione di 29 W.
Quale ampiezza di gate drive è consentita per un funzionamento sicuro?
Il dispositivo accetta tensioni di gate fino a ±20 V, che imposta l'azionamento massimo consentito per evitare sovratensioni di gate.
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