MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 300 mΩ Miglioramento, 25 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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Codice RS:
215-2503
Codice costruttore:
IPD25N06S4L30ATMA2
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

25A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TO-252

Serie

OptiMOS-T2

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

300mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.3V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

16.3nC

Dissipazione di potenza massima Pd

29W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il transistor di potenza Infineon OptiMOS®-T2 è dotato di un MOSFET per uso automobilistico con tensione di sorgente massima di drain di 60V, N-CH, con contenitore DPAK(TO-252).

Canale N - modalità potenziata

Certificazione AEC Q101

MSL1 con riflusso di picco fino a 260 °C

Temperatura d'esercizio: 175 °C

Prodotto non inquinante (conformità RoHS)

Testato al 100% con effetto valanga

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