MOSFET Infineon, canale Tipo P 60 V, 300 mΩ Miglioramento, 8.8 A, 3 Pin, TO-252, Superficie SPD08P06PGBTMA1

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 10 unità*

5,99 €

(IVA esclusa)

7,31 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 280 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
  • Più 4100 unità in spedizione dal 07 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
10 - 900,599 €5,99 €
100 - 2400,569 €5,69 €
250 - 4900,546 €5,46 €
500 - 9900,521 €5,21 €
1000 +0,485 €4,85 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
462-3247
Codice costruttore:
SPD08P06PGBTMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

8.8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

SIPMOS

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

300mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

42W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

10nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

-1.55V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

6.5mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

2.3mm

Larghezza

6.22 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET Infineon serie SIPMOS®, corrente di scarico continua massima di 8,8 A, dissipazione di potenza massima di 42 W - SPD08P06PGBTMA1


Questo MOSFET è progettato per applicazioni che richiedono una commutazione e un controllo efficienti. Può gestire correnti di drenaggio continue di 8,8A e una tensione di drenaggio-sorgente di 60V, adatta a vari circuiti elettronici. Il dispositivo funziona efficacemente in un ampio intervallo di temperature, migliorando le prestazioni in ambienti difficili.

Caratteristiche e vantaggi


• Il funzionamento in modalità avanzata garantisce prestazioni di commutazione efficienti

• L'elevata capacità di potenza è adatta a forti applicazioni elettroniche

• La bassa Rds(on) riduce al minimo le perdite di energia durante il funzionamento

• Utilizza il pacchetto DPAK per applicazioni efficaci di montaggio superficiale

Applicazioni


• Applicabile nei controlli elettronici automobilistici per un'elevata affidabilità

• Ideale per i sistemi di gestione dell'alimentazione nelle apparecchiature industriali

• Adatto ai sistemi di gestione delle batterie dei veicoli elettrici

• Utilizzato nella tecnologia degli inverter per i sistemi di energia rinnovabile

• Utilizzato nei dispositivi elettronici di commutazione per i prodotti di consumo

Quali sono le implicazioni dell'utilizzo di una configurazione a canale P?


Le configurazioni a canale P facilitano l'integrazione nelle applicazioni di commutazione high-side, fornendo un comodo controllo all'interno dei circuiti.

In che modo le prestazioni termiche influiscono sulla longevità?


La capacità di operare fino a +175°C aumenta l'affidabilità e contribuisce a una maggiore durata in ambienti difficili.

Qual è il significato della qualifica AEC-Q101?


Questa qualifica conferma la sua idoneità per le applicazioni automobilistiche, soddisfacendo i rigorosi standard di affidabilità e sicurezza.

Può essere utilizzato insieme ad altri MOSFET?


Sì, può essere integrato con altri componenti per creare circuiti complementari per applicazioni multi-switch efficienti.

Quali fattori influenzano la dissipazione di potenza in questo dispositivo?


I fattori chiave sono la temperatura ambiente, la corrente di scarico e il ciclo di lavoro durante il funzionamento, che influiscono sulle prestazioni termiche complessive.

Link consigliati