MOSFET Infineon, canale N 60 V, 3.8 mΩ Miglioramento, 90 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD025N06NATMA1

Codice RS:: 906-4485
Codice costruttore:: IPD025N06NATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N 60 V, 3.8 mΩ Miglioramento, 90 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD025N06NATMA1

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Codice RS:: 906-4485
Codice costruttore:: IPD025N06NATMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	90A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	60V
	Serie	OptiMOS 5
	Tipo di package	TO-252
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	3.8mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	-20V, +20V
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Dissipazione di potenza massima Pd	167W
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	71nC
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Larghezza	6.22mm
	Altezza	2.41mm
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	6.73mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo di canale N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 90A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V
	Serie OptiMOS 5
	Tipo di package TO-252
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3.8mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -20V, +20V
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Dissipazione di potenza massima Pd 167W
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 71nC
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Larghezza 6.22mm
	Altezza 2.41mm
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 6.73mm
	Standard automobilistico No

Esente

MOSFET Infineon OptiMOS serie 5, tensione massima della sorgente di drenaggio di 60 V, corrente di drenaggio continua massima di 90 A - IPD025N06NATMA1

Questo MOSFET di potenziamento a canale n è un transistor di potenza progettato per l'elettronica a montaggio superficiale che richiede una commutazione e una conduzione robuste a livelli di media tensione. Funziona in un ampio intervallo di temperature ed è progettato per applicazioni ad alta corrente in cui sono richieste basse perdite di conduzione e un azionamento gate moderato. Il dispositivo è fornito in un contenitore TO-252 adatto per l'assemblaggio automatizzato su schede densamente popolate.

Caratteristiche e vantaggi:

• Rds(on) di 3.8 mΩ riduce le perdite di conduzione per una maggiore efficienza
• La corrente di drenaggio continua di 90 A supporta la commutazione per carichi pesanti
• Il valore nominale drain-source di 60 V consente progetti a media tensione
• La carica di gate tipica di 71 nC riduce al minimo i requisiti energetici dell'azionamento
• La dissipazione di potenza massima di 167 W consente una gestione della potenza elevata
• Il limite gate-source a 20 V consente robusti margini gate-drive

Applicazioni

• Adatto per convertitori buck sincroni negli alimentatori
• Ideale per i half‐bridge di azionamento del motore nei controller industriali
• Utilizzato con sistemi di gestione delle batterie che richiedono corrente elevata
• Può essere utilizzato per la conversione CC-CC nelle apparecchiature di telecomunicazione
• Adatto per stadi di potenza in server o elettronica di memorizzazione

A quale intervallo di temperatura può resistere durante il funzionamento?

È specificato per funzionare da -55 °C fino a 175 °C, adattandosi ad ambienti termici ostili.

Come è confezionato per l'assemblaggio e il raffreddamento?

Il componente è fornito in un contenitore a montaggio superficiale TO-252 (DPAK) progettato per il montaggio su scheda saldata e il trasferimento termico su piani dissipatori.

Quali considerazioni sull'azionamento del gate devono essere prese in considerazione?

La tensione gate-sorgente non deve superare 20 V

i circuiti di azionamento devono essere dimensionati in modo da fornire la carica gate tipica di 71 nC per le velocità di commutazione desiderate.

In che modo il tipo di canale influisce sul comportamento di commutazione?

Come dispositivo di potenziamento a canale N, richiede una tensione di gate positiva per condurre, fornendo una bassa resistenza all'accensione per percorsi efficienti ad alta corrente.