MOSFET Infineon, canale N 40 V, 3.8 mΩ Miglioramento, 90 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

Codice RS:: 229-1836
Codice costruttore:: IPD90N04S4L04ATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N 40 V, 3.8 mΩ Miglioramento, 90 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

1035,00 €

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Codice RS:: 229-1836
Codice costruttore:: IPD90N04S4L04ATMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	90A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	40V
	Tipo di package	TO-252
	Serie	IPD
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	3.8mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd	71W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	46nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione diretta Vf	1.3V
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Altezza	2.3mm
	Larghezza	6.22mm
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	6.5mm
	Standard automobilistico	AEC-Q101

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	Marchio Infineon
	Tipo di canale N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 90A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V
	Tipo di package TO-252
	Serie IPD
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3.8mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd 71W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 46nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione diretta Vf 1.3V
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Altezza 2.3mm
	Larghezza 6.22mm
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 6.5mm
	Standard automobilistico AEC-Q101

Datasheet - IPD90N04S4L04ATMA1

MOSFET Infineon serie IPD, tensione massima della sorgente di drenaggio di 40 V, corrente di drenaggio continua massima di 90 A - IPD90N04S4L04ATMA1

Questo MOSFET è un interruttore a semiconduttore progettato per applicazioni CC ad alta corrente e montaggio superficiale, che supporta un funzionamento a temperature estese e una qualifica automobilistica per l'uso in ambienti difficili.

Caratteristiche e vantaggi:

• La corrente di drenaggio massima di 90 A consente un'elevata capacità di commutazione a carico
• La bassa Rds(on) di 3,8 mΩ riduce le perdite di conduzione durante il funzionamento
• La dissipazione di potenza massima di 71 W supporta il carico termico sostenuto
• La carica gate di 46 nC consente un comportamento di commutazione prevedibile
• La tensione nominale drain-source di 40 V protegge contro i transitori di tensione comuni
• La tensione del diodo in avanti di 1,3 V limita la caduta durante la conduzione inversa

Applicazioni

• Adatto per le fasi di azionamento dei motori elettrici nei veicoli
• Ideale per uscite convertitore c. c. - c. c. ad alta corrente
• Utilizzato con moduli di distribuzione dell'alimentazione nell'elettronica automobilistica
• Può essere utilizzato per la rettifica sincrona negli alimentatori
• Adatto per la gestione della batteria e i circuiti di ricarica

Quale intervallo di temperatura può tollerare questo componente in condizioni di uso difficili?

Funziona in modo affidabile da -55 °C fino a 175 °C.

Come è confezionato per l'assemblaggio su circuito stampato e il montaggio a livello di scheda?

Viene fornito in un contenitore a montaggio superficiale TO-252 per la saldatura diretta.

Quali tensioni di gate estreme devono essere evitate per evitare danni?

La tensione da gate a sorgente non deve superare ±20 V per preservare l'integrità del gate.

Quanti collegamenti elettrici presenta alla scheda?

Fornisce tre pin per i collegamenti di drenaggio, gate e sorgente sul circuito stampato.