MOSFET Infineon, canale Tipo N 250 V, 345 mΩ Miglioramento, 9.3 A, 3 Pin, TO-252, Superficie
- Codice RS:
- 222-4613
- Codice costruttore:
- AUIRFR4292TRL
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*
2145,00 €
(IVA esclusa)
2616,00 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 03 aprile 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,715 € | 2.145,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 222-4613
- Codice costruttore:
- AUIRFR4292TRL
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 9.3A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 250V | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 345mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 13nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 100W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 2.39mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 6.73 mm | |
| Lunghezza | 6.22mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 9.3A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 250V | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 345mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 13nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 100W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 2.39mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 6.73 mm | ||
Lunghezza 6.22mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il MOSFET di potenza Infineon utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza estremamente bassa all'accensione per area di silicio. Caratteristiche aggiuntive di questo design sono la temperatura d'esercizio della giunzione a 175 °C, la velocità di commutazione rapida e il valore nominale dell'effetto valanga ripetitivo migliorato. Queste caratteristiche si combinano per rendere questo design un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso in applicazioni automobilistiche e un'ampia varietà di altre applicazioni.
Advanced Process Technology
Commutazione rapida a bassissima resistenza in stato attivo
Senza piombo, Conformità RoHS
Link consigliati
- MOSFET Infineon 0.345 Ω3 A Montaggio superficiale
- MOSFET Infineon 9 50 A Montaggio superficiale
- MOSFET Infineon 0 0 23 A Montaggio superficiale
- MOSFET Infineon 1 Ω8 A Montaggio superficiale
- MOSFET Infineon 2.7 Ω DPAK (TO-252), Montaggio superficiale
- MOSFET Infineon 2.4 Ω5 A Montaggio superficiale
- MOSFET Infineon 1 4 DPAK (TO-252), Montaggio superficiale
- MOSFET Infineon 0.295 Ω DPAK (TO-252), Montaggio superficiale
