MOSFET Infineon, canale Tipo N 250 V, 345 mΩ Miglioramento, 9.3 A, 3 Pin, TO-252, Superficie
- Codice RS:
- 222-4613
- Codice costruttore:
- AUIRFR4292TRL
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*
2550,00 €
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3120,00 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,85 € | 2.550,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 222-4613
- Codice costruttore:
- AUIRFR4292TRL
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 9.3A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 250V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 345mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 100W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 13nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 2.39mm | |
| Lunghezza | 6.22mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 9.3A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 250V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 345mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 100W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 13nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 2.39mm | ||
Lunghezza 6.22mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il MOSFET di potenza Infineon utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza estremamente bassa all'accensione per area di silicio. Caratteristiche aggiuntive di questo design sono la temperatura d'esercizio della giunzione a 175 °C, la velocità di commutazione rapida e il valore nominale dell'effetto valanga ripetitivo migliorato. Queste caratteristiche si combinano per rendere questo design un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso in applicazioni automobilistiche e un'ampia varietà di altre applicazioni.
Advanced Process Technology
Commutazione rapida a bassissima resistenza in stato attivo
Senza piombo, Conformità RoHS
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