MOSFET Infineon, canale Tipo N 250 V, 345 mΩ Miglioramento, 9.3 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

2145,00 €

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Codice RS:
222-4613
Codice costruttore:
AUIRFR4292TRL
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

9.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

250V

Tipo di package

TO-252

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

345mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

13nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

100W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

2.39mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

6.73 mm

Lunghezza

6.22mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET di potenza Infineon utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza estremamente bassa all'accensione per area di silicio. Caratteristiche aggiuntive di questo design sono la temperatura d'esercizio della giunzione a 175 °C, la velocità di commutazione rapida e il valore nominale dell'effetto valanga ripetitivo migliorato. Queste caratteristiche si combinano per rendere questo design un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso in applicazioni automobilistiche e un'ampia varietà di altre applicazioni.

Advanced Process Technology

Commutazione rapida a bassissima resistenza in stato attivo

Senza piombo, Conformità RoHS

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