Codice costruttore

MOSFET Infineon, canale N 100 V, 33 mΩ Miglioramento, 43 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

Codice RS:: 892-2318
Codice costruttore:: IPP180N10N3GXKSA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N 100 V, 33 mΩ Miglioramento, 43 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

Sconto per quantità disponibile

Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 confezione da 10 unità*

10,59 €

(IVA esclusa)

12,92 €

(IVA inclusa)

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

Temporaneamente esaurito

500 unità in spedizione dal 18 marzo 2027

Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità	Per unità	Per confezione*
10 - 10	1,059 €	10,59 €
20 - 40	0,795 €	7,95 €
50 - 90	0,688 €	6,88 €
100 - 190	0,634 €	6,34 €
200 +	0,582 €	5,82 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 892-2318
Codice costruttore:: IPP180N10N3GXKSA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.

Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	N
	Massima corrente di scarico continua Id	43A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	100V
	Serie	OptiMOS 3
	Tipo di package	TO-220
	Tipo montaggio	Foro passante
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	33mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	71W
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	19nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	-20V, +20V
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Larghezza	4.57mm
	Standard/Approvazioni	No
	Altezza	15.95mm
	Lunghezza	10.36mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale N
	Massima corrente di scarico continua Id 43A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V
	Serie OptiMOS 3
	Tipo di package TO-220
	Tipo montaggio Foro passante
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 33mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 71W
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 19nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -20V, +20V
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Larghezza 4.57mm
	Standard/Approvazioni No
	Altezza 15.95mm
	Lunghezza 10.36mm
	Standard automobilistico No

MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™3, 100 V e superiori

Transistor MOSFET, Infineon

Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.