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    MOSFET Infineon, canale N, 7,7 mΩ, 100 A, TO-220, Su foro

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    30 Entro 1 giorni lavorativi per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)

    Prezzo per 1pz in confezione da 2

    4,345 €

    (IVA esclusa)

    5,301 €

    (IVA inclusa)

    Unità
    Unità
    Per unità
    Per confezione*
    2 - 84,345 €8,69 €
    10 - 184,13 €8,26 €
    20 - 483,61 €7,22 €
    50 - 983,345 €6,69 €
    100 +3,085 €6,17 €

    *prezzo indicativo

    Codice RS:
    170-2323
    Codice costruttore:
    IPP075N15N3GXKSA1
    Costruttore:
    Infineon

    Attributo
    Valore
    Tipo di canaleN
    Corrente massima continuativa di drain100 A
    Tensione massima drain source150 V
    SerieOptiMOS™
    Tipo di packageTO-220
    Tipo di montaggioSu foro
    Numero pin3
    Resistenza massima drain source7,7 mΩ
    Modalità del canaleEnhancement
    Tensione di soglia gate massima4V
    Tensione di soglia gate minima2V
    Dissipazione di potenza massima300 W
    Configurazione transistorSingolo
    Tensione massima gate source20 V
    Larghezza4.57mm
    Massima temperatura operativa+175 °C
    Carica gate tipica @ Vgs70 nC a 10 V
    Numero di elementi per chip1
    Lunghezza10.36mm
    Minima temperatura operativa-55 °C
    Tensione diretta del diodo1.2V
    Altezza11.17mm

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