MOSFET Infineon, canale Tipo P 40 V, 7.7 mΩ Miglioramento, 80 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IPB80P04P407ATMA1
- Codice RS:
- 826-9487
- Codice costruttore:
- IPB80P04P407ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
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|---|---|---|
| 25 - 25 | 2,023 € | 50,58 € |
| 50 - 100 | 1,922 € | 48,05 € |
| 125 - 225 | 1,841 € | 46,03 € |
| 250 - 475 | 1,76 € | 44,00 € |
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 826-9487
- Codice costruttore:
- IPB80P04P407ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 80A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Serie | OptiMOS P | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 7.7mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | -1V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 88W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 68nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 4.4mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 10mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 80A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Serie OptiMOS P | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 7.7mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf -1V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 88W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 68nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 4.4mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 10mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Non applicabile
MOSFET a canale di potenza P P Infineon OptiMOS™
I MOSFET di potenza a canale P Infineon OptiMOS™ sono progettati per offrire caratteristiche ottimizzate unite a prestazioni di qualità. Le caratteristiche includono perdita ultra-bassa di commutazione, resistenza in stato attivo e valori nominali dell'effetto valanga, oltre alla qualifica AEC per soluzioni nel settore automobilistico. Le applicazioni includono: CC-CC, controllo di motori, settore automobilistico ed eMobility.
Modalità potenziata
Classificazione Avalanche
Perdite di potenza a bassa conduzione e commutazione
Placcatura senza piombo; conformità Rohs
Contenitori standard
Serie a canale P OptiMOS™: gamma di temperatura da -55 °C a +175 °C
Transistor MOSFET, Infineon
Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.
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