MOSFET Infineon, canale N 150 V, 11 mΩ Miglioramento, 104 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

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Codice RS:
124-9005
Codice costruttore:
IRFB4115PBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

104A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

11mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

380W

Tensione diretta Vf

1.3V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

77nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

4.83mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

9.02mm

Lunghezza

10.67mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MX

MOSFET Infineon serie HEXFET, tensione massima della sorgente di drenaggio di 150 V, corrente di drenaggio continua massima di 104 A - IRFB4115PBF


Questo MOSFET è un dispositivo di potenziamento a canale N ad alta potenza progettato per le attività di commutazione e conversione di potenza in sistemi elettronici impegnativi. Funziona in un'ampia gamma termica adatta per ambienti difficili ed è fornito in un contenitore TO-220 a foro passante per un dissipatore di calore e un assemblaggio semplici. Il dispositivo offre una notevole capacità di corrente di drenaggio continua ed è progettato per applicazioni che richiedono una gestione efficiente delle correnti elevate e prestazioni di commutazione rapida.

Caratteristiche e vantaggi:


• La tensione di drenaggio massima di 150 V consente la commutazione ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 104 A supporta la gestione di carichi pesanti
• Il basso valore di RDS(on) di 11 mΩ riduce al minimo le perdite di conduzione ad alta corrente
• La dissipazione di potenza di 380 W consente un carico termico prolungato
• La carica gate tipica di 77 nC consente transizioni di commutazione rapide
• La tensione diretta di 1,3 V riduce la caduta di conduzione del diodo

Applicazioni


• Adatto per i driver per motori Infineon HEXFET 150 V MOSFET TO-220
• Ideale per MOSFET da 150 V e 104 A per alimentatori switching
• Utilizzato con circuiti MOSFET di potenziamento a canale N ad alta potenza
• Può essere utilizzato per gli stadi di potenza MOSFET a foro passante TO-220 da 380 W

Quali sono i limiti di tensione del gate che i progettisti devono rispettare?


Il valore nominale da gate a sorgente è di ±20 V, pertanto i circuiti di azionamento devono mantenere il VGS entro tale intervallo per evitare danni al gate.

Come si comporta il dispositivo a temperature estreme?


È specificato per funzionare da -55 °C a 175 °C, garantendo il mantenimento delle caratteristiche elettriche in quelle condizioni ambientali e di giunzione.

Quali sono le considerazioni relative al montaggio e al numero di pin?


Il componente è dotato di tre pin ed è progettato per il montaggio a foro passante in formato TO-220 per facilitare il fissaggio sicuro del dissipatore.

Quale canale e modalità di conduzione utilizza?


Si tratta di un dispositivo a canale N che funziona in modalità di potenziamento, richiedendo un gate positivo rispetto alla sorgente per l'accensione.

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