MOSFET Infineon, canale Tipo N 200 V, 11 mΩ Miglioramento, 88 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

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Codice RS:
911-4899
Codice costruttore:
IPP110N20N3GXKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

88A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Serie

OptiMOS 3

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

11mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

65nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

300W

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

4.57 mm

Altezza

9.45mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.36mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
DE

MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™3, 100 V e superiori


Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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