MOSFET Infineon, canale N, 4,9 mΩ, 150 A, TO-220AB, Su foro

Codice RS:: 145-8878
Codice costruttore:: IRF1405ZPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 4,9 mΩ, 150 A, TO-220AB, Su foro

Prezzo per Cadauno (in una stecca da 50)**

2,053 €

(IVA esclusa)

2,505 €

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1255 Disponibile per la consegna entro 3 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)*

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Unità	Per unità	Per stecca**
50 +	2,053 €	102,65 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 145-8878
Codice costruttore:: IRF1405ZPBF
Costruttore:: Infineon

IRF1405ZS-7PPbF, IRF1405ZL-7PPbF, HEXFET Power MOSFET
Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	150 A
Tensione massima drain source	55 V
Tipo di package	TO-220AB
Serie	HEXFET
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	4,9 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	230 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	120 nC @ 10 V
Lunghezza	10.67mm
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+175 °C
Larghezza	4.83mm
Altezza	16.51mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Infineon, canale N, 4,9 mΩ, 150 A, TO-220AB, Su foro

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MOSFET di potenza a canale N da 55 V, Infineon

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