MOSFET Infineon, canale Tipo N 55 V, 4.9 mΩ Miglioramento, 150 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

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Codice RS:
145-8878
Codice costruttore:
IRF1405ZPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

150A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Tipo di package

TO-220

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.9mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

230W

Tensione diretta Vf

1.3V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

120nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

4.83 mm

Lunghezza

10.67mm

Altezza

16.51mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET di potenza a canale N da 55 V, Infineon


La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminali e fattori di forma adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

Transistor MOSFET, Infineon


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