MOSFET Infineon, canale N 55 V, 8 mΩ Miglioramento, 110 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

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Codice RS:
919-4763
Codice costruttore:
IRF3205PBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

110A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

200W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

146nC

Tensione diretta Vf

1.3V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

4.69mm

Lunghezza

10.54mm

Altezza

8.77mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET Infineon serie HEXFET, 110A di corrente continua massima di drenaggio, 55V di tensione massima della sorgente di drenaggio - IRF3205PBF


Questo MOSFET HEXFET è un componente elettronico di potenza ad alte prestazioni progettato per le applicazioni più esigenti. Presenta una configurazione a canale N con una corrente di drain continua massima di 110A e una tensione massima drain-source di 55V. Il contenitore TO-220AB garantisce un'efficiente gestione termica ed è adatto all'uso in una varietà di ambienti industriali.

Caratteristiche e vantaggi


• In grado di funzionare a temperature elevate, fino a +175°C

• Offre caratteristiche di commutazione rapida per migliorare le prestazioni

• Eccellente classificazione per le valanghe per una maggiore durata

• Il design della modalità di potenziamento garantisce un funzionamento stabile

• Progettato per un facile utilizzo nel montaggio a foro passante

Applicazioni


• Utilizzato per la conversione di potenza negli alimentatori

• Adatto per il controllo dei motori

• Utilizzato nei sistemi di gestione delle batterie

• Applicato nei circuiti di commutazione ad alta frequenza

• Integrato nei sistemi di alimentazione dell'elettronica di consumo

Quali sono le caratteristiche termiche da considerare per questo componente?


La resistenza termica tra giunzione e involucro è di 0,75°C/W, mentre quella tra involucro e dissipatore può arrivare a 0,50°C/W se applicata a una superficie piana e ingrassata. Questo è essenziale per mantenere prestazioni ottimali durante gli scenari di carico elevato.

In che modo le specifiche possono influenzare le prestazioni complessive?


La bassa resistenza di accensione e l'elevata capacità di corrente di drain continua consentono di ridurre la perdita di potenza e di migliorare l'efficienza termica, con conseguente aumento dell'affidabilità in varie applicazioni.

Quali metodi possono essere applicati per un'efficace dissipazione del calore?


L'utilizzo di un dissipatore in combinazione con il contenitore TO-220AB può migliorare notevolmente la dissipazione del calore durante il funzionamento, garantendo che il dispositivo rimanga entro limiti termici sicuri.

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