MOSFET Infineon, canale N 55 V, 8 mΩ Miglioramento, 110 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IRF3205PBF

Codice RS:: 540-9783
Codice Distrelec:: 303-41-274
Codice costruttore:: IRF3205PBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N 55 V, 8 mΩ Miglioramento, 110 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IRF3205PBF

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Codice RS:: 540-9783
Codice Distrelec:: 303-41-274
Codice costruttore:: IRF3205PBF
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	N
	Massima corrente di scarico continua Id	110A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	55V
	Serie	HEXFET
	Tipo di package	TO-220
	Tipo montaggio	Foro passante
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	8mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	-20V, +20V
	Dissipazione di potenza massima Pd	200W
	Tensione diretta Vf	1.3V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	146nC
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Standard/Approvazioni	No
	Altezza	8.77mm
	Larghezza	4.69mm
	Lunghezza	10.54mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale N
	Massima corrente di scarico continua Id 110A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 55V
	Serie HEXFET
	Tipo di package TO-220
	Tipo montaggio Foro passante
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 8mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -20V, +20V
	Dissipazione di potenza massima Pd 200W
	Tensione diretta Vf 1.3V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 146nC
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Standard/Approvazioni No
	Altezza 8.77mm
	Larghezza 4.69mm
	Lunghezza 10.54mm
	Standard automobilistico No

MOSFET Infineon serie HEXFET, 110A di corrente continua massima di drenaggio, 55V di tensione massima della sorgente di drenaggio - IRF3205PBF

Questo MOSFET HEXFET è un componente elettronico di potenza ad alte prestazioni progettato per le applicazioni più esigenti. Presenta una configurazione a canale N con una corrente di drain continua massima di 110A e una tensione massima drain-source di 55V. Il contenitore TO-220AB garantisce un'efficiente gestione termica ed è adatto all'uso in una varietà di ambienti industriali.

Caratteristiche e vantaggi

• In grado di funzionare a temperature elevate, fino a +175°C

• Offre caratteristiche di commutazione rapida per migliorare le prestazioni

• Eccellente classificazione per le valanghe per una maggiore durata

• Il design della modalità di potenziamento garantisce un funzionamento stabile

• Progettato per un facile utilizzo nel montaggio a foro passante

Applicazioni

• Utilizzato per la conversione di potenza negli alimentatori

• Adatto per il controllo dei motori

• Utilizzato nei sistemi di gestione delle batterie

• Applicato nei circuiti di commutazione ad alta frequenza

• Integrato nei sistemi di alimentazione dell'elettronica di consumo

Quali sono le caratteristiche termiche da considerare per questo componente?

La resistenza termica tra giunzione e involucro è di 0,75°C/W, mentre quella tra involucro e dissipatore può arrivare a 0,50°C/W se applicata a una superficie piana e ingrassata. Questo è essenziale per mantenere prestazioni ottimali durante gli scenari di carico elevato.

In che modo le specifiche possono influenzare le prestazioni complessive?

La bassa resistenza di accensione e l'elevata capacità di corrente di drain continua consentono di ridurre la perdita di potenza e di migliorare l'efficienza termica, con conseguente aumento dell'affidabilità in varie applicazioni.

Quali metodi possono essere applicati per un'efficace dissipazione del calore?

L'utilizzo di un dissipatore in combinazione con il contenitore TO-220AB può migliorare notevolmente la dissipazione del calore durante il funzionamento, garantendo che il dispositivo rimanga entro limiti termici sicuri.