MOSFET Infineon, canale Tipo N 55 V, 8 mΩ Miglioramento, 110 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IRF3205PBF

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Codice RS:
540-9783
Codice Distrelec:
303-41-274
Codice costruttore:
IRF3205PBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

110A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Tipo di package

TO-220

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.3V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

146nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

200W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

8.77mm

Lunghezza

10.54mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

4.69 mm

Standard automobilistico

No

Distrelec Product Id

30341274

MOSFET Infineon serie HEXFET, 110A di corrente continua massima di drenaggio, 55V di tensione massima della sorgente di drenaggio - IRF3205PBF


Questo MOSFET HEXFET è un componente elettronico di potenza ad alte prestazioni progettato per le applicazioni più esigenti. Presenta una configurazione a canale N con una corrente di drain continua massima di 110A e una tensione massima drain-source di 55V. Il contenitore TO-220AB garantisce un'efficiente gestione termica ed è adatto all'uso in una varietà di ambienti industriali.

Caratteristiche e vantaggi


• In grado di funzionare a temperature elevate, fino a +175°C

• Offre caratteristiche di commutazione rapida per migliorare le prestazioni

• Eccellente classificazione per le valanghe per una maggiore durata

• Il design della modalità di potenziamento garantisce un funzionamento stabile

• Progettato per un facile utilizzo nel montaggio a foro passante

Applicazioni


• Utilizzato per la conversione di potenza negli alimentatori

• Adatto per il controllo dei motori

• Utilizzato nei sistemi di gestione delle batterie

• Applicato nei circuiti di commutazione ad alta frequenza

• Integrato nei sistemi di alimentazione dell'elettronica di consumo

Quali sono le caratteristiche termiche da considerare per questo componente?


La resistenza termica tra giunzione e involucro è di 0,75°C/W, mentre quella tra involucro e dissipatore può arrivare a 0,50°C/W se applicata a una superficie piana e ingrassata. Questo è essenziale per mantenere prestazioni ottimali durante gli scenari di carico elevato.

In che modo le specifiche possono influenzare le prestazioni complessive?


La bassa resistenza di accensione e l'elevata capacità di corrente di drain continua consentono di ridurre la perdita di potenza e di migliorare l'efficienza termica, con conseguente aumento dell'affidabilità in varie applicazioni.

Quali metodi possono essere applicati per un'efficace dissipazione del calore?


L'utilizzo di un dissipatore in combinazione con il contenitore TO-220AB può migliorare notevolmente la dissipazione del calore durante il funzionamento, garantendo che il dispositivo rimanga entro limiti termici sicuri.

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