MOSFET Infineon, canale Tipo N 55 V, 17.5 mΩ Miglioramento, 49 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 tubo da 50 unità*

45,05 €

(IVA esclusa)

54,95 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 600 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
  • Più 2000 unità in spedizione dal 25 giugno 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per Tubo*
50 - 500,901 €45,05 €
100 - 2000,739 €36,95 €
250 - 4500,685 €34,25 €
500 - 12000,64 €32,00 €
1250 +0,595 €29,75 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
919-4769
Codice costruttore:
IRFZ44NPBF
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

49A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Tipo di package

TO-220

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

17.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

63nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

94W

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

10.67mm

Altezza

8.77mm

Larghezza

4.4 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima 49A, dissipazione di potenza massima 94W - IRFZ44NPBF


Questo MOSFET è progettato per le prestazioni in applicazioni di automazione, elettronica ed elettrotecnica. Può gestire alti livelli di corrente con una bassa resistenza, migliorando l'efficienza dei circuiti elettronici. Grazie alla tecnologia HEXFET, il dispositivo offre una maggiore affidabilità ed efficacia in vari ambienti.

Caratteristiche e vantaggi


• Utilizza la modalità di potenziamento per un controllo reattivo

• Bassa resistenza di 17,5mΩ per una gestione efficace della potenza

• Velocità di commutazione elevata per migliorare le prestazioni del sistema

Applicazioni


• Adatto per convertitori CC-CC

• Azionamenti motore e sistemi di controllo

• Sistemi di energia rinnovabile, come gli inverter solari

Che impatto ha la bassa resistenza sulle prestazioni?


La bassa resistenza di accensione, pari a 17,5mΩ, aumenta l'efficienza riducendo al minimo le perdite di energia durante il funzionamento, a tutto vantaggio dei circuiti ad alta corrente.

Come influisce la temperatura sulla corrente di drenaggio continua?


La corrente di drenaggio continua è stimata a 49A a 25°C e scende a 35A a 100°C, garantendo un utilizzo sicuro in ambienti diversi.

Questo componente è in grado di gestire condizioni di valanga ripetitive?


Sì, è stato progettato per resistere a condizioni di valanga ripetitive con una corrente nominale di valanga fino a 25A e un'energia di valanga di 9,4mJ, garantendo una maggiore durata.

Quali sono i tipi di applicazioni che traggono maggiore vantaggio dall'utilizzo di questo MOSFET?


Questo componente è particolarmente utile nelle applicazioni ad alta potenza, tra cui i controlli dell'automazione industriale e i sistemi automobilistici che richiedono una conversione efficiente dell'energia.

È compatibile con i progetti di PCB standard?


Sì, il suo package TO-220AB è ampiamente utilizzato in vari layout di PCB, consentendo una semplice integrazione nei progetti esistenti.

Link consigliati