MOSFET Infineon, canale Tipo N 55 V, 17.5 mΩ Miglioramento, 49 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante
- Codice RS:
- 919-4769
- Codice costruttore:
- IRFZ44NPBF
- Costruttore:
- Infineon
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|---|---|---|
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 919-4769
- Codice costruttore:
- IRFZ44NPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 49A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 55V | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 17.5mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 94W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 63nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 8.77mm | |
| Lunghezza | 10.67mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 49A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 55V | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 17.5mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 94W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 63nC | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 8.77mm | ||
Lunghezza 10.67mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima 49A, dissipazione di potenza massima 94W - IRFZ44NPBF
Questo MOSFET è progettato per le prestazioni in applicazioni di automazione, elettronica ed elettrotecnica. Può gestire alti livelli di corrente con una bassa resistenza, migliorando l'efficienza dei circuiti elettronici. Grazie alla tecnologia HEXFET, il dispositivo offre una maggiore affidabilità ed efficacia in vari ambienti.
Caratteristiche e vantaggi
• Utilizza la modalità di potenziamento per un controllo reattivo
• Bassa resistenza di 17,5mΩ per una gestione efficace della potenza
• Velocità di commutazione elevata per migliorare le prestazioni del sistema
Applicazioni
• Adatto per convertitori CC-CC
• Azionamenti motore e sistemi di controllo
• Sistemi di energia rinnovabile, come gli inverter solari
Che impatto ha la bassa resistenza sulle prestazioni?
La bassa resistenza di accensione, pari a 17,5mΩ, aumenta l'efficienza riducendo al minimo le perdite di energia durante il funzionamento, a tutto vantaggio dei circuiti ad alta corrente.
Come influisce la temperatura sulla corrente di drenaggio continua?
La corrente di drenaggio continua è stimata a 49A a 25°C e scende a 35A a 100°C, garantendo un utilizzo sicuro in ambienti diversi.
Questo componente è in grado di gestire condizioni di valanga ripetitive?
Sì, è stato progettato per resistere a condizioni di valanga ripetitive con una corrente nominale di valanga fino a 25A e un'energia di valanga di 9,4mJ, garantendo una maggiore durata.
Quali sono i tipi di applicazioni che traggono maggiore vantaggio dall'utilizzo di questo MOSFET?
Questo componente è particolarmente utile nelle applicazioni ad alta potenza, tra cui i controlli dell'automazione industriale e i sistemi automobilistici che richiedono una conversione efficiente dell'energia.
È compatibile con i progetti di PCB standard?
Sì, il suo package TO-220AB è ampiamente utilizzato in vari layout di PCB, consentendo una semplice integrazione nei progetti esistenti.
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