Name: MOSFET Infineon, canale Tipo N 55 V, 17.5 mΩ Miglioramento, 49 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IRFZ44NPBF
Brand: Infineon
SKU: 540-9777
Price: 1.49 EUR
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Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	49A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	55V
	Tipo di package	TO-220
	Serie	HEXFET
	Tipo montaggio	Foro passante
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	17.5mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	63nC
	Tensione diretta Vf	1.3V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	94W
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Lunghezza	10.67mm
	Altezza	8.77mm
	Standard/Approvazioni	No
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Infineon
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 49A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 55V
	Tipo di package TO-220
	Serie HEXFET
	Tipo montaggio Foro passante
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 17.5mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 63nC
	Tensione diretta Vf 1.3V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 94W
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Lunghezza 10.67mm
	Altezza 8.77mm
	Standard/Approvazioni No
	Standard automobilistico No

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima 49A, dissipazione di potenza massima 94W - IRFZ44NPBF

Questo MOSFET è progettato per le prestazioni in applicazioni di automazione, elettronica ed elettrotecnica. Può gestire alti livelli di corrente con una bassa resistenza, migliorando l'efficienza dei circuiti elettronici. Grazie alla tecnologia HEXFET, il dispositivo offre una maggiore affidabilità ed efficacia in vari ambienti.

Caratteristiche e vantaggi

• Utilizza la modalità di potenziamento per un controllo reattivo

• Bassa resistenza di 17,5mΩ per una gestione efficace della potenza

• Velocità di commutazione elevata per migliorare le prestazioni del sistema

Applicazioni

• Adatto per convertitori CC-CC

• Azionamenti motore e sistemi di controllo

• Sistemi di energia rinnovabile, come gli inverter solari

Che impatto ha la bassa resistenza sulle prestazioni?

La bassa resistenza di accensione, pari a 17,5mΩ, aumenta l'efficienza riducendo al minimo le perdite di energia durante il funzionamento, a tutto vantaggio dei circuiti ad alta corrente.

Come influisce la temperatura sulla corrente di drenaggio continua?

La corrente di drenaggio continua è stimata a 49A a 25°C e scende a 35A a 100°C, garantendo un utilizzo sicuro in ambienti diversi.

Questo componente è in grado di gestire condizioni di valanga ripetitive?

Sì, è stato progettato per resistere a condizioni di valanga ripetitive con una corrente nominale di valanga fino a 25A e un'energia di valanga di 9,4mJ, garantendo una maggiore durata.

Quali sono i tipi di applicazioni che traggono maggiore vantaggio dall'utilizzo di questo MOSFET?

Questo componente è particolarmente utile nelle applicazioni ad alta potenza, tra cui i controlli dell'automazione industriale e i sistemi automobilistici che richiedono una conversione efficiente dell'energia.

È compatibile con i progetti di PCB standard?

Sì, il suo package TO-220AB è ampiamente utilizzato in vari layout di PCB, consentendo una semplice integrazione nei progetti esistenti.

MOSFET Infineon, canale Tipo N 55 V, 17.5 mΩ Miglioramento, 49 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IRFZ44NPBF