MOSFET Infineon, canale N, 35 mΩ, 30 A, TO-220AB, Su foro

Codice RS:: 541-1247
Codice Distrelec:: 303-41-411
Codice costruttore:: IRLZ34NPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 35 mΩ, 30 A, TO-220AB, Su foro

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Codice RS:: 541-1247
Codice Distrelec:: 303-41-411
Codice costruttore:: IRLZ34NPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 30 A, dissipazione di potenza massima di 68 W - IRLZ34NPBF

Questo MOSFET a canale N ad alte prestazioni è progettato per garantire l'efficienza in varie applicazioni elettroniche. Ha una corrente di drain continua massima di 30A e può gestire tensioni drain-source fino a 55V. La capacità di modalità avanzata garantisce il funzionamento in varie condizioni, rendendolo un componente prezioso per la gestione dell'energia in diversi settori.

Caratteristiche e vantaggi

• La bassa resistenza di accensione di 35mΩ riduce la perdita di potenza
• L'elevata capacità di dissipazione di potenza, pari a 68 W, migliora le prestazioni
• L'intervallo di temperatura di esercizio da -55°C a +175°C garantisce la versatilità
• La carica tipica del gate di 25nC a 5 V consente una commutazione più rapida
• Il pacchetto compatto TO-220AB consente un layout efficiente della PCB

Applicazioni

• Utilizzato nei convertitori DC-DC per un'efficiente conversione di potenza
• Adatta per i circuiti di pilotaggio dei motori nell'automazione industriale
• Efficace nei sistemi di gestione dell'energia per le energie rinnovabili
• Utilizzato nella commutazione ad alta velocità per le telecomunicazioni

Qual è la tensione massima del gate-source?

Il dispositivo è in grado di sopportare una tensione massima gate-source di ±16V, garantendo un funzionamento sicuro in vari circuiti.

In che modo la temperatura influisce sulle sue prestazioni?

Il MOSFET funziona in modo efficiente in un intervallo di temperatura compreso tra -55°C e +175°C, mantenendo la stabilità in condizioni estreme.

Può essere utilizzato in applicazioni ad alta frequenza?

Sì, è stato progettato con una carica di gate tipica di 25nC a 5 V, che lo rende adatto ad applicazioni ad alta frequenza come gli amplificatori RF.

Quali sono le implicazioni di una Rds(on) bassa?

Un valore Rds(on) più basso riduce significativamente la generazione di calore e le perdite di potenza, migliorando l'efficienza complessiva dei progetti di alimentazione.

È compatibile con diversi circuiti elettronici?

Questo dispositivo è versatile e può essere integrato in diverse configurazioni di circuito, compresa l'elettronica di potenza automobilistica e industriale.

Transistor MOSFET, Infineon

Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	30 A
Tensione massima drain source	55 V
Tipo di package	TO-220AB
Serie	HEXFET
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	35 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2V
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	68 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-16 V, +16 V
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	25 nC a 5 V
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+175 °C
Lunghezza	10.54mm
Larghezza	4.69mm
Altezza	8.77mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Tensione diretta del diodo	1.3V