MOSFET Infineon Duale, canale Tipo N, 35 mΩ, 20 A 55 V, TDSON Miglioramento, 8 Pin

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Codice RS:
258-3876
Codice costruttore:
IPG20N06S2L35AATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

20A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Tipo di package

TDSON

Serie

OptiMOS

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

35mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

65W

Tensione diretta Vf

1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

18nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Configurazione transistor

Duale

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il transistor di potenza OptiMOS Infineon è un doppio Super S08 in grado di sostituire più DPAK per un notevole risparmio di area su circuito stampato e una riduzione dei costi a livello di sistema. Collegamento del telaio del cavo sorgente più grande per l'incollaggio dei fili e le stesse prestazioni termiche ed elettriche di un DPAK con le stesse dimensioni dello stampo.

Livello logico a canale N doppio - modalità di potenziamento

Certificazione AEC Q101

MSL1 fino a 260 °C di riflusso di picco

Temperatura d'esercizio 175 °C

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