MOSFET Infineon, canale Tipo N 80 V, 24 mΩ Miglioramento, 55 A, 8 Pin, TDSON, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*

2560,00 €

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3125,00 €

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Codice RS:
911-0780
Codice costruttore:
BSC123N08NS3GATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

55A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

OptiMOS 3

Tipo di package

TDSON

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

24mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

66W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

19nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

5.35mm

Altezza

1.1mm

Larghezza

6.1 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

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