MOSFET Infineon, canale N 80 V, 4.6 mΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, TDSON, Superficie

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Codice RS:
258-0911
Codice costruttore:
IAUC100N08S5N031ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

IAUC

Tipo di package

TDSON

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.6mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

167W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

900mV

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

59nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS, DIN IEC 68-1

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il transistor di potenza Infineon OptiMOS-5 è in modalità di potenziamento a canale N. Ha una temperatura d'esercizio di 175 °C.

Certificazione AEC

MSL1 fino a 260 °C di riflusso di picco

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