MOSFET Infineon, canale Tipo N 80 V, 4.6 mΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, TDSON, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*

3570,00 €

(IVA esclusa)

4355,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 13 maggio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
5000 +0,714 €3.570,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
258-0911
Codice costruttore:
IAUC100N08S5N031ATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

TDSON

Serie

IAUC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.6mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

167W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

59nC

Tensione diretta Vf

0.9V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS, DIN IEC 68-1

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il transistor di potenza Infineon OptiMOS-5 è in modalità di potenziamento a canale N. Ha una temperatura d'esercizio di 175 °C.

Certificazione AEC

MSL1 fino a 260 °C di riflusso di picco

Link consigliati