MOSFET Infineon, canale Tipo P 30 V, 4.6 mΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, TDSON, Superficie

Codice RS:: 178-7488
Codice costruttore:: BSC030P03NS3GAUMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo P 30 V, 4.6 mΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, TDSON, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*

3620,00 €

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Codice RS:: 178-7488
Codice costruttore:: BSC030P03NS3GAUMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	Tipo P
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	100A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	30V
	Serie	OptiMOS P
	Tipo di package	TDSON
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	4.6mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione diretta Vf	-1.1V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	25V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	140nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	125W
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Larghezza	5.35mm
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	6.1mm
	Altezza	1.1mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo di canale Tipo P
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 100A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V
	Serie OptiMOS P
	Tipo di package TDSON
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 4.6mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione diretta Vf -1.1V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 25V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 140nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 125W
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Larghezza 5.35mm
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 6.1mm
	Altezza 1.1mm
	Standard automobilistico No

BSC030P03NS3G OptiMOS P3 Power-Transistor

MOSFET a canale di potenza P P Infineon OptiMOS™

I MOSFET di potenza a canale P Infineon OptiMOS™ sono progettati per offrire caratteristiche ottimizzate unite a prestazioni di qualità. Le caratteristiche includono perdita ultra-bassa di commutazione, resistenza in stato attivo e valori nominali dell'effetto valanga, oltre alla qualifica AEC per soluzioni nel settore automobilistico. Le applicazioni includono: CC-CC, controllo di motori, settore automobilistico ed eMobility.

Modalità potenziata

Classificazione Avalanche

Perdite di potenza a bassa conduzione e commutazione

Placcatura senza piombo; conformità Rohs

Contenitori standard

Serie a canale P OptiMOS™: gamma di temperatura da -55 °C a +175 °C

Transistor MOSFET, Infineon

Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

MOSFET Infineon, canale Tipo P 30 V, 4.6 mΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, TDSON, Superficie

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

MOSFET a canale di potenza P P Infineon OptiMOS™

Transistor MOSFET, Infineon

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