MOSFET Infineon, canale Tipo P 30 V, 4.6 mΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, TDSON, Superficie

Codice RS:: 178-7488
Codice costruttore:: BSC030P03NS3GAUMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo P 30 V, 4.6 mΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, TDSON, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*

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Codice RS:: 178-7488
Codice costruttore:: BSC030P03NS3GAUMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo P
	Massima corrente di scarico continua Id	100A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	30V
	Serie	OptiMOS P
	Tipo di package	TDSON
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	4.6mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	140nC
	Dissipazione di potenza massima Pd	125W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	-25V, +25V
	Tensione diretta Vf	-1.1V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Larghezza	5.35mm
	Lunghezza	6.1mm
	Standard/Approvazioni	No
	Altezza	1.1mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo P
	Massima corrente di scarico continua Id 100A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V
	Serie OptiMOS P
	Tipo di package TDSON
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 4.6mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 140nC
	Dissipazione di potenza massima Pd 125W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -25V, +25V
	Tensione diretta Vf -1.1V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Larghezza 5.35mm
	Lunghezza 6.1mm
	Standard/Approvazioni No
	Altezza 1.1mm
	Standard automobilistico No

BSC030P03NS3G OptiMOS P3 Power-Transistor

MOSFET Infineon OptiMOS serie P, tensione massima della sorgente di drenaggio di 30 V, corrente di drenaggio continua massima di 100 A - BSC030P03NS3GAUMA1

Questo MOSFET è un transistor di commutazione di potenza progettato per applicazioni a montaggio superficiale che richiedono un'elevata gestione della corrente e un ampio intervallo termico. Funziona come dispositivo di potenziamento a canale P per il controllo delle guide di alimentazione e delle fasi di commutazione in ambienti difficili, offrendo un equilibrio tra capacità di commutazione e capacità di corrente continua in un ampio intervallo di temperatura.

Caratteristiche e vantaggi:

• La corrente di drenaggio continua di 100 A consente la commutazione ad alto carico
• La dissipazione di potenza massima di 125 W supporta carichi termici pesanti
• La bassa Rds(on) di 4.6 mΩ riduce le perdite di conduzione
• I Vds massimi di 30 V consentono il controllo della guida di potenza a media tensione
• La carica di gate tipica di 140 nC bilancia lo sforzo di azionamento e la velocità di commutazione
• La tolleranza del gate di 25 V consente margini di azionamento gate robusti

Applicazioni

• Adatto per moduli di distribuzione dell'alimentazione ad alta corrente
• Ideale per la rettifica sincrona nelle alimentazioni
• Utilizzato con sistemi di gestione della batteria e di conversione dell'alimentazione
• Può essere utilizzato per la commutazione low-side dell'azionamento del motore
• Utilizzato per l'elettronica sottoposta a sollecitazioni termiche a temperature elevate

Quale tipo di contenitore è necessario pianificare sul circuito stampato?

Viene fornito in un contenitore TDSON a 8 pin per montaggio superficiale che richiede un ingombro corrispondente a un tampone termico a 8 pin e alle terre circostanti per la saldabilità e il trasferimento del calore.

In che modo la temperatura ambiente influisce sul funzionamento consentito?

Progettato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, mantiene la funzionalità in condizioni di freddo estremo e di giunzione elevata, anche se la gestione termica determina i limiti di corrente dinamica.

Quali considerazioni sull'azionamento del gate sono importanti per le prestazioni di commutazione?

Aspettatevi una carica di gate totale tipica di 140 nC che informa le dimensioni del driver

i driver devono fornire una corrente sufficiente per commutare entro i tempi di transizione desiderati osservando il valore nominale massimo gate-source di 25 V.

Quali sono le caratteristiche della tensione diretta che influenzano la conduzione inversa?

Il dispositivo presenta una tensione diretta di -1,1 V durante la conduzione nella direzione pertinente, che influisce sulle perdite di conduzione in configurazioni a ruota libera o sincrone.