MOSFET Infineon, canale N 80 V, 4.6 mΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, TDSON, Superficie IAUC100N08S5N031ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
258-0912
Codice costruttore:
IAUC100N08S5N031ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

TDSON

Serie

IAUC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.6mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

900mV

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

167W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

59nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS, DIN IEC 68-1

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il transistor di potenza Infineon OptiMOS-5 è in modalità di potenziamento a canale N. Ha una temperatura d'esercizio di 175 °C.

Certificazione AEC

MSL1 fino a 260 °C di riflusso di picco

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