MOSFET Infineon, canale N 80 V, 10.2 mΩ Miglioramento, 80 A, 8 Pin, TDSON, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*

2980,00 €

(IVA esclusa)

3635,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 15 ottobre 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
5000 +0,596 €2.980,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
170-2298
Codice costruttore:
BSC070N10NS5ATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

80A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

TDSON

Serie

BSC070N10NS5

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

10.2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

30nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

900mV

Dissipazione di potenza massima Pd

83W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.1mm

Lunghezza

5.49mm

Larghezza

6.35mm

Standard automobilistico

No

MOSFET Infineon serie BSC070N10NS5, corrente di drenaggio continua massima 80 A, tensione di sorgente di drenaggio massima 80 V - BSC070N10NS5ATMA1


Questo MOSFET è un dispositivo di potenziamento a canale N ad alta corrente progettato per le fasi di potenza a montaggio superficiale. È progettato per la commutazione e la conversione di potenza in contesti in cui sono richiesti un montaggio compatto e una conduzione robusta. Il componente funziona in un ampio intervallo di temperature ed è progettato per applicazioni che richiedono una notevole tolleranza alla gestione della corrente e all'azionamento del gate.

Caratteristiche e vantaggi:


• Rds(on) molto bassa di 10,2 mΩ per ridurre le perdite di conduzione
• Elevata corrente di drenaggio continua di 80 A che consente il funzionamento con carichi pesanti
• Vds massimo 80 V per sistemi di alimentazione a media tensione
• Carica gate tipica di 30 nC per un controllo di commutazione efficiente
• Dissipazione di potenza di picco di 83 W per gestire lo stress termico
• Limite gate-source 20 V per proteggere i circuiti di azionamento

Applicazioni


• Adatto per gli stadi del convertitore buck sincrono
• Ideale per assemblaggi a mezzo ponte con azionamento a motore
• Utilizzato con convertitori CC-CC ad alta corrente
• Può essere utilizzato per i moduli di distribuzione dell'alimentazione del server
• Adatto per la rettifica delle telecomunicazioni e i dispositivi di commutazione

Quali estremi termici può tollerare il dispositivo durante il funzionamento?


È specificato per funzionare in modo affidabile da -55 °C fino a 150 °C, consentendo l'uso in ambienti termici impegnativi.

Quanti pin e quale stile di montaggio utilizza?


Il pacchetto contiene otto pin ed è fornito in un formato TDSON a montaggio superficiale per un posizionamento compatto del circuito stampato.

Quale tipo di canale e modalità sono implementati per la commutazione?


Il transistor utilizza un canale di tipo N in modalità di potenziamento, che richiede un azionamento gate positivo per condurre.

Quali sono le dimensioni fisiche che influenzano il layout e il posizionamento della scheda?


Il corpo misura 5,49 mm di lunghezza, 6,35 mm di larghezza e 1,1 mm di altezza, indicando l'ingombro e il design dello spazio.

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.