MOSFET Infineon, canale Tipo N 80 V, 8.9 mΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, TDSON, Superficie
- Codice RS:
- 178-7494
- Codice costruttore:
- BSC047N08NS3GATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*
6810,00 €
(IVA esclusa)
8310,00 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 5000 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 5000 + | 1,362 € | 6.810,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 178-7494
- Codice costruttore:
- BSC047N08NS3GATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 100A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 80V | |
| Tipo di package | TDSON | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 8.9mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 52nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 125W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 5.35 mm | |
| Altezza | 1.1mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 6.1mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 100A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 80V | ||
Tipo di package TDSON | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 8.9mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 52nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 125W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 5.35 mm | ||
Altezza 1.1mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 6.1mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Esente
MOSFET di potenza OptiMOS™3 Infineon, da 60 a 80 V
I prodotti OptiMOS™ sono disponibili in pacchetti ad alte prestazioni per lavorare con la maggior parte delle applicazioni difficili poiché forniscono flessibilità in spazi ristretti. Questi prodotti Infineon sono ideati per soddisfare e superare i requisiti di rendimento energetico e di densità di potenza degli altissimi standard di regolazione della prossima generazione nelle applicazioni informatiche.
MOSFET a commutazione rapida per alimentatori switching
Tecnologia ottimizzata per i convertitori CC/CC
Certificato in conformità alla norma JEDEC1) per le applicazioni di destinazione
Canale N, livello logico
Prodotto con un'eccellente carica di gate R DS(on) (FOM)
Resistenza R DS(on) molto bassa
Placcatura senza piombo
Transistor MOSFET, Infineon
Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.
Link consigliati
- MOSFET Infineon 8 100 A Montaggio superficiale
- MOSFET Infineon 3 100 A Montaggio superficiale
- MOSFET Infineon 1 100 A Montaggio superficiale
- MOSFET Infineon 4 100 A Montaggio superficiale
- MOSFET Infineon 1 100 A Montaggio superficiale
- MOSFET Infineon 2 100 A Montaggio superficiale
- MOSFET Infineon 5 100 A Montaggio superficiale
- MOSFET Infineon 5 100 A Montaggio superficiale
