MOSFET Infineon, canale N 80 V, 8.9 mΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, TDSON, Superficie BSC047N08NS3GATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
906-4347
Codice costruttore:
BSC047N08NS3GATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

TDSON

Serie

OptiMOS 3

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

8.9mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Dissipazione di potenza massima Pd

125W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

52nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

5.35mm

Altezza

1.1mm

Lunghezza

6.1mm

Standard automobilistico

No

Esente

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