MOSFET Infineon, canale N 80 V, 5.7 mΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, TDSON, Superficie

Codice RS:: 170-2307
Codice costruttore:: BSC040N08NS5ATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N 80 V, 5.7 mΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, TDSON, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*

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Codice RS:: 170-2307
Codice costruttore:: BSC040N08NS5ATMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	100A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	80V
	Serie	BSC040N08NS5
	Tipo di package	TDSON
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	5.7mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd	104W
	Tensione diretta Vf	880mV
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	43nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Larghezza	6.35mm
	Standard/Approvazioni	No
	Altezza	1.1mm
	Lunghezza	5.49mm
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Infineon
	Tipo di canale N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 100A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 80V
	Serie BSC040N08NS5
	Tipo di package TDSON
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 5.7mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd 104W
	Tensione diretta Vf 880mV
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 43nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Larghezza 6.35mm
	Standard/Approvazioni No
	Altezza 1.1mm
	Lunghezza 5.49mm
	Standard automobilistico No

MOSFET Infineon serie BSC040N08NS5, tensione massima della sorgente di drenaggio di 80 V, corrente di drenaggio continua massima di 100 A - BSC040N08NS5ATMA1

Questo MOSFET è un dispositivo di potenziamento a canale N in silicio progettato per la commutazione ad alta corrente in applicazioni di potenza a montaggio superficiale. Funziona in un ampio intervallo di temperature industriali ed è adatto per i sistemi che richiedono una conduzione robusta e una commutazione rapida. Il dispositivo offre un'elevata capacità di corrente continua ed è configurato per l'uso nei casi in cui è richiesta una gestione compatta e a bassa perdita di potenza.

Caratteristiche e vantaggi:

• La tensione di drenaggio di 80 V consente la commutazione ad alta tensione
• Corrente di drenaggio continua di 100 A che supporta carichi di corrente pesanti
• Basso Rds(on) di 5.7 mΩ che riduce le perdite di conduzione
• Dissipazione di potenza di 104 W per un carico termico elevato
• Carica gate tipica di 43 nC che consente transizioni di commutazione efficienti
• Valore nominale massimo del gate Vgs 20 V che consente ampi margini di azionamento del gate

Applicazioni

• Adatto per convertitori CC-CC nei sistemi di gestione dell'alimentazione
• Ideale per le fasi di azionamento del motore nei controller industriali
• Utilizzato per la rettifica sincrona negli alimentatori
• Può essere utilizzato per la commutazione di carichi ad alta corrente nei rack per telecomunicazioni
• Adatto per implementazioni di stadi di potenza in moduli inverter

Quale tipo di contenitore utilizza e perché è rilevante?

Viene fornito in un pacchetto compatto TDSON a montaggio superficiale che facilita layout a bassa induttanza e un efficiente trasferimento di calore a livello di scheda.

Quali sono i limiti ambientali di funzionamento per questo dispositivo?

È specificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, consentendo l'uso in un'ampia gamma di temperature industriali.

Quante connessioni fornisce il pacchetto per l'instradamento del circuito stampato?

Il dispositivo è dotato di otto pin per supportare connessioni di alimentazione e gate/termiche per una robusta integrazione su circuito stampato.

Qual è il tipo e la modalità di conduzione dei canali per la progettazione dei circuiti?

Utilizza una configurazione in modalità di potenziamento a canale N, adatta per topologie di commutazione low-side e sincrone.