MOSFET Infineon, canale Tipo N 80 V, 5.7 mΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, TDSON, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*

4090,00 €

(IVA esclusa)

4990,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 01 giugno 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
5000 +0,818 €4.090,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
170-2307
Codice costruttore:
BSC040N08NS5ATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

TDSON

Serie

BSC040N08NS5

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5.7mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

43nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

104W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

0.88V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.1mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

6.35 mm

Lunghezza

5.49mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza Infineon BSC040N08NS5 OptiMOS 5 da 80 V è progettato appositamente per la rettifica sincrona per alimentatori per telecomunicazioni e server. Inoltre, il dispositivo può essere utilizzato anche in altre applicazioni industriali come pannelli solari, unità a bassa tensione e adattatore.

Massima efficienza del sistema

Perdite di conduzione e commutazione ridotte

Sono richiesti meno collegamenti in parallelo

Densità di potenza aumentata

Bassa sovratensione

Link consigliati