MOSFET Infineon, canale N 80 V, 3 mΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, TDSON, Superficie

Codice RS:: 170-2311
Codice costruttore:: BSC030N08NS5ATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N 80 V, 3 mΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, TDSON, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*

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Codice RS:: 170-2311
Codice costruttore:: BSC030N08NS5ATMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	N
	Massima corrente di scarico continua Id	100A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	80V
	Serie	BSC030N08NS5
	Tipo di package	TDSON
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	3mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd	139W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	61nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Tensione diretta Vf	800mV
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Lunghezza	5.49mm
	Larghezza	6.35mm
	Standard/Approvazioni	No
	Altezza	1.1mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale N
	Massima corrente di scarico continua Id 100A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 80V
	Serie BSC030N08NS5
	Tipo di package TDSON
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd 139W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 61nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Tensione diretta Vf 800mV
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Lunghezza 5.49mm
	Larghezza 6.35mm
	Standard/Approvazioni No
	Altezza 1.1mm
	Standard automobilistico No

MOSFET Infineon serie BSC030N08NS5, tensione massima della sorgente di drenaggio di 80 V, corrente di drenaggio continua massima di 100 A - BSC030N08NS5ATMA1

Questo MOSFET di potenziamento a canale n è progettato per la commutazione ad alta corrente nell'elettronica di potenza a montaggio superficiale. Funziona su un'ampia gamma di temperature e gestisce tensioni e correnti elevate, il che lo rende adatto per ambienti termici ed elettrici impegnativi. Il componente si integra in layout di schede compatti e supporta la commutazione rapida per la conversione di potenza o le fasi motore-azionamento.

Caratteristiche e vantaggi:

• Il valore nominale di drenaggio-sorgente di 80 V consente il funzionamento su guida a tensione più elevata
• La corrente di drenaggio continua di 100 A consente la gestione di correnti elevate
• Rds(on) di 3 mΩ riduce al minimo le perdite di conduzione nei percorsi di carico
• La dissipazione di potenza di 139 W supporta un flusso termico significativo
• La carica totale del gate di 61 nC facilita transizioni di commutazione rapide
• Il limite gate-source 20 V consente robusti margini gate-drive

Applicazioni

• Adatto per gli stadi di commutazione ad alta corrente negli alimentatori
• Ideale per la rettifica sincrona nei convertitori
• Utilizzato con azionamenti per motori che richiedono una commutazione rapida
• Può essere utilizzato per la commutazione del carico nei sistemi di alimentazione per telecomunicazioni
• Adatto per moduli di alimentazione compatti a montaggio superficiale

Quale tipo di contenitore è necessario consentire nell'ingombro del circuito stampato?

Il dispositivo è fornito in un contenitore TDSON a otto pin progettato per il posizionamento a montaggio superficiale, in modo da garantire un modello di messa a terra compatibile e vialità termiche se necessario.

Quanto è tollerante alle condizioni ambientali estreme?

Il componente è classificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, consentendo l'uso in applicazioni con ampia variazione termica.

Quali considerazioni sull'azionamento del gate sono necessarie per un funzionamento efficiente?

Con una carica gate tipica di 61 nC e una Vgs massima di 20 V, scegliere un driver in grado di fornire una corrente di picco sufficiente e di rimanere entro il limite di tensione gate per ottimizzare la velocità di commutazione.

In che modo la sua tensione diretta influisce sui progetti a bassa tensione?

Il dispositivo presenta una tensione diretta di 0,8 V che influisce sui calcoli di caduta di conduzione nei sistemi a bassa tensione e ad alta corrente e deve essere incluso nelle stime della perdita di potenza.