MOSFET Infineon, canale N, 3 mΩ, 100 A, TDSON, Montaggio superficiale

Codice RS:: 170-2311
Codice costruttore:: BSC030N08NS5ATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 3 mΩ, 100 A, TDSON, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 5000)**

0,897 €

(IVA esclusa)

1,094 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
5000 +	0,897 €	4.485,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 170-2311
Codice costruttore:: BSC030N08NS5ATMA1
Costruttore:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	100 A
Tensione massima drain source	80 V
Serie	OptiMOS™ 5
Tipo di package	TDSON
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	3 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3.8V
Tensione di soglia gate minima	2.2V
Dissipazione di potenza massima	139 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	20 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	6.35mm
Carica gate tipica @ Vgs	61 nC a 10 V
Lunghezza	5.49mm
Numero di elementi per chip	1
Altezza	1.1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Tensione diretta del diodo	1.1V

MOSFET Infineon, canale N, 3 mΩ, 100 A, TDSON, Montaggio superficiale

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