MOSFET Infineon, canale Tipo N 80 V, 3 mΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, TDSON, Superficie BSC030N08NS5ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
171-1978
Codice costruttore:
BSC030N08NS5ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

BSC030N08NS5

Tipo di package

TDSON

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

0.8V

Dissipazione di potenza massima Pd

139W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

61nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

5.49mm

Larghezza

6.35 mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.1mm

Standard automobilistico

No

Infineon BSC030N08NS5 è un MOSFET di potenza da 80 V OptiMOS, progettato appositamente per la rettifica sincrona per alimentatori per telecomunicazioni e server. Inoltre, il dispositivo può essere utilizzato anche in altre applicazioni industriali come pannelli solari, unità a bassa tensione e adattatore.

Ottimizzato per la rettifica sincrona

Ideale per una frequenza di commutazione elevata

Riduzione della capacità di uscita fino al 44%

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