MOSFET Infineon, canale N 80 V, 3 mΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, TDSON, Superficie BSC030N08NS5ATMA1
- Codice RS:
- 171-1978
- Codice costruttore:
- BSC030N08NS5ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 confezione da 10 unità*
17,80 €
(IVA esclusa)
21,70 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 18 ottobre 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 1,78 € | 17,80 € |
| 50 - 90 | 1,423 € | 14,23 € |
| 100 - 240 | 1,336 € | 13,36 € |
| 250 - 490 | 1,246 € | 12,46 € |
| 500 + | 1,158 € | 11,58 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 171-1978
- Codice costruttore:
- BSC030N08NS5ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 100A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 80V | |
| Tipo di package | TDSON | |
| Serie | BSC030N08NS5 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 3mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 61nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 800mV | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 139W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 1.1mm | |
| Lunghezza | 5.49mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 6.35mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 100A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 80V | ||
Tipo di package TDSON | ||
Serie BSC030N08NS5 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 61nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 800mV | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 139W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 1.1mm | ||
Lunghezza 5.49mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 6.35mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET Infineon serie BSC030N08NS5, tensione massima della sorgente di drenaggio di 80 V, corrente di drenaggio continua massima di 100 A - BSC030N08NS5ATMA1
Questo MOSFET di potenziamento a canale n è progettato per la commutazione ad alta corrente nell'elettronica di potenza a montaggio superficiale. Funziona su un'ampia gamma di temperature e gestisce tensioni e correnti elevate, il che lo rende adatto per ambienti termici ed elettrici impegnativi. Il componente si integra in layout di schede compatti e supporta la commutazione rapida per la conversione di potenza o le fasi motore-azionamento.
Caratteristiche e vantaggi:
• Il valore nominale di drenaggio-sorgente di 80 V consente il funzionamento su guida a tensione più elevata
• La corrente di drenaggio continua di 100 A consente la gestione di correnti elevate
• Rds(on) di 3 mΩ riduce al minimo le perdite di conduzione nei percorsi di carico
• La dissipazione di potenza di 139 W supporta un flusso termico significativo
• La carica totale del gate di 61 nC facilita transizioni di commutazione rapide
• Il limite gate-source 20 V consente robusti margini gate-drive
• La corrente di drenaggio continua di 100 A consente la gestione di correnti elevate
• Rds(on) di 3 mΩ riduce al minimo le perdite di conduzione nei percorsi di carico
• La dissipazione di potenza di 139 W supporta un flusso termico significativo
• La carica totale del gate di 61 nC facilita transizioni di commutazione rapide
• Il limite gate-source 20 V consente robusti margini gate-drive
Applicazioni
• Adatto per gli stadi di commutazione ad alta corrente negli alimentatori
• Ideale per la rettifica sincrona nei convertitori
• Utilizzato con azionamenti per motori che richiedono una commutazione rapida
• Può essere utilizzato per la commutazione del carico nei sistemi di alimentazione per telecomunicazioni
• Adatto per moduli di alimentazione compatti a montaggio superficiale
• Ideale per la rettifica sincrona nei convertitori
• Utilizzato con azionamenti per motori che richiedono una commutazione rapida
• Può essere utilizzato per la commutazione del carico nei sistemi di alimentazione per telecomunicazioni
• Adatto per moduli di alimentazione compatti a montaggio superficiale
Quale tipo di contenitore è necessario consentire nell'ingombro del circuito stampato?
Il dispositivo è fornito in un contenitore TDSON a otto pin progettato per il posizionamento a montaggio superficiale, in modo da garantire un modello di messa a terra compatibile e vialità termiche se necessario.
Quanto è tollerante alle condizioni ambientali estreme?
Il componente è classificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, consentendo l'uso in applicazioni con ampia variazione termica.
Quali considerazioni sull'azionamento del gate sono necessarie per un funzionamento efficiente?
Con una carica gate tipica di 61 nC e una Vgs massima di 20 V, scegliere un driver in grado di fornire una corrente di picco sufficiente e di rimanere entro il limite di tensione gate per ottimizzare la velocità di commutazione.
In che modo la sua tensione diretta influisce sui progetti a bassa tensione?
Il dispositivo presenta una tensione diretta di 0,8 V che influisce sui calcoli di caduta di conduzione nei sistemi a bassa tensione e ad alta corrente e deve essere incluso nelle stime della perdita di potenza.
Link consigliati
- MOSFET Infineon 3 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 10.2 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 10.2 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie BSC070N10NS5ATMA1
- MOSFET Infineon 8.9 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 5.7 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 3.7 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 7.2 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 4.6 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie