MOSFET Infineon, canale Tipo N 80 V, 10.2 mΩ Miglioramento, 80 A, 8 Pin, TDSON, Superficie BSC070N10NS5ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
171-1963
Codice costruttore:
BSC070N10NS5ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

80A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

TDSON

Serie

BSC070N10NS5

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

10.2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

30nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

83W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

0.9V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.1mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

6.35 mm

Lunghezza

5.49mm

Standard automobilistico

No

Infineon BSC070N10NS5 è un MOSFET di potenza 100V OptiMOS 5 CON PEDAGGIO. Questo MOSFET è ottimizzato per la rettifica sincrona e ideale per un'elevata frequenza di commutazione. Questo MOSFET ha la massima efficienza del sistema e perdite di conduzione e commutazione ridotte.

Ottimizzato per SMPS ad alte prestazioni

Testato con effetto valanga al 100%

Eccellente resistenza termica

Canale N.

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