MOSFET Infineon, canale N, 10,2 mΩ, 80 A, TDSON, Montaggio superficiale

Codice RS:: 171-1963
Codice costruttore:: BSC070N10NS5ATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 10,2 mΩ, 80 A, TDSON, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 171-1963
Codice costruttore:: BSC070N10NS5ATMA1
Costruttore:: Infineon

Datasheet
Datasheet

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	80 A
Tensione massima drain source	80 V
Serie	OptiMOS™ 5
Tipo di package	TDSON
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	10,2 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3.8V
Tensione di soglia gate minima	2.2V
Dissipazione di potenza massima	83 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	20 V
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	30 nC a 10 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	5.49mm
Larghezza	6.35mm
Tensione diretta del diodo	1.1V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.1mm

MOSFET Infineon, canale N, 10,2 mΩ, 80 A, TDSON, Montaggio superficiale

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