MOSFET Infineon, canale N 80 V, 5.7 mΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, TDSON, Superficie BSC040N08NS5ATMA1
- Codice RS:
- 171-1969
- Codice costruttore:
- BSC040N08NS5ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 171-1969
- Codice costruttore:
- BSC040N08NS5ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 100A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 80V | |
| Tipo di package | TDSON | |
| Serie | BSC040N08NS5 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 5.7mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 43nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 104W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 880mV | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 6.35mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 5.49mm | |
| Altezza | 1.1mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 100A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 80V | ||
Tipo di package TDSON | ||
Serie BSC040N08NS5 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 5.7mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 43nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 104W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 880mV | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 6.35mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 5.49mm | ||
Altezza 1.1mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET Infineon serie BSC040N08NS5, tensione massima della sorgente di drenaggio di 80 V, corrente di drenaggio continua massima di 100 A - BSC040N08NS5ATMA1
Questo MOSFET è un dispositivo di potenziamento a canale N in silicio progettato per la commutazione ad alta corrente in applicazioni di potenza a montaggio superficiale. Funziona in un ampio intervallo di temperature industriali ed è adatto per i sistemi che richiedono una conduzione robusta e una commutazione rapida. Il dispositivo offre un'elevata capacità di corrente continua ed è configurato per l'uso nei casi in cui è richiesta una gestione compatta e a bassa perdita di potenza.
Caratteristiche e vantaggi:
• La tensione di drenaggio di 80 V consente la commutazione ad alta tensione
• Corrente di drenaggio continua di 100 A che supporta carichi di corrente pesanti
• Basso Rds(on) di 5.7 mΩ che riduce le perdite di conduzione
• Dissipazione di potenza di 104 W per un carico termico elevato
• Carica gate tipica di 43 nC che consente transizioni di commutazione efficienti
• Valore nominale massimo del gate Vgs 20 V che consente ampi margini di azionamento del gate
• Corrente di drenaggio continua di 100 A che supporta carichi di corrente pesanti
• Basso Rds(on) di 5.7 mΩ che riduce le perdite di conduzione
• Dissipazione di potenza di 104 W per un carico termico elevato
• Carica gate tipica di 43 nC che consente transizioni di commutazione efficienti
• Valore nominale massimo del gate Vgs 20 V che consente ampi margini di azionamento del gate
Applicazioni
• Adatto per convertitori CC-CC nei sistemi di gestione dell'alimentazione
• Ideale per le fasi di azionamento del motore nei controller industriali
• Utilizzato per la rettifica sincrona negli alimentatori
• Può essere utilizzato per la commutazione di carichi ad alta corrente nei rack per telecomunicazioni
• Adatto per implementazioni di stadi di potenza in moduli inverter
• Ideale per le fasi di azionamento del motore nei controller industriali
• Utilizzato per la rettifica sincrona negli alimentatori
• Può essere utilizzato per la commutazione di carichi ad alta corrente nei rack per telecomunicazioni
• Adatto per implementazioni di stadi di potenza in moduli inverter
Quale tipo di contenitore utilizza e perché è rilevante?
Viene fornito in un pacchetto compatto TDSON a montaggio superficiale che facilita layout a bassa induttanza e un efficiente trasferimento di calore a livello di scheda.
Quali sono i limiti ambientali di funzionamento per questo dispositivo?
È specificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, consentendo l'uso in un'ampia gamma di temperature industriali.
Quante connessioni fornisce il pacchetto per l'instradamento del circuito stampato?
Il dispositivo è dotato di otto pin per supportare connessioni di alimentazione e gate/termiche per una robusta integrazione su circuito stampato.
Qual è il tipo e la modalità di conduzione dei canali per la progettazione dei circuiti?
Utilizza una configurazione in modalità di potenziamento a canale N, adatta per topologie di commutazione low-side e sincrone.
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