MOSFET Infineon, canale Tipo N 80 V, 5.7 mΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, TDSON, Superficie BSC040N08NS5ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
171-1969
Codice costruttore:
BSC040N08NS5ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

BSC040N08NS5

Tipo di package

TDSON

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5.7mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

0.88V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

43nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

104W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

5.49mm

Altezza

1.1mm

Larghezza

6.35 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza Infineon BSC040N08NS5 OptiMOS 5 da 80 V è progettato appositamente per la rettifica sincrona per alimentatori per telecomunicazioni e server. Inoltre, il dispositivo può essere utilizzato anche in altre applicazioni industriali come pannelli solari, unità a bassa tensione e adattatore.

Massima efficienza del sistema

Perdite di conduzione e commutazione ridotte

Sono richiesti meno collegamenti in parallelo

Densità di potenza aumentata

Bassa sovratensione

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