MOSFET Infineon, canale Tipo P 30 V, 9.6 mΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, TDSON, Superficie

Codice RS:: 165-6578
Codice costruttore:: BSC060P03NS3EGATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo P 30 V, 9.6 mΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, TDSON, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*

2035,00 €

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Codice RS:: 165-6578
Codice costruttore:: BSC060P03NS3EGATMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo P
	Massima corrente di scarico continua Id	100A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	30V
	Serie	OptiMOS P
	Tipo di package	TDSON
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	9.6mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd	83W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	61nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione diretta Vf	-1.1V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	-25V, +25V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	No
	Larghezza	5.35mm
	Lunghezza	6.35mm
	Altezza	1.1mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo P
	Massima corrente di scarico continua Id 100A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V
	Serie OptiMOS P
	Tipo di package TDSON
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 9.6mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd 83W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 61nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione diretta Vf -1.1V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -25V, +25V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni No
	Larghezza 5.35mm
	Lunghezza 6.35mm
	Altezza 1.1mm
	Standard automobilistico No

Paese di origine:: CN

MOSFET Infineon OptiMOS serie P, tensione massima della sorgente di drenaggio di 30 V, corrente di drenaggio continua massima di 100 A - BSC060P03NS3EGATMA1

Questo MOSFET è un transistor di commutazione di potenza progettato per applicazioni ad alta corrente e bassa tensione in assemblaggi a montaggio superficiale. Funziona in un ampio intervallo di temperature adatto per ambienti difficili e fornisce una notevole capacità di corrente continua mantenendo un contenitore compatto per progetti di schede a basso profilo.

Caratteristiche e vantaggi:

• La corrente di drenaggio continua di 100 A consente una commutazione sostenuta ad alta corrente
• Il valore nominale drain-source di 30 V supporta le fasi di potenza a bassa tensione
• Rds(on) di 9,6 mΩ riduce le perdite di conduzione e la generazione di calore
• La dissipazione di potenza massima di 83 W consente una gestione di potenza significativa
• La carica di gate tipica di 61 nC consente una dinamica di commutazione controllata
• Il limite gate-source 25 V garantisce spazio per l'azionamento del gate per una maggiore robustezza

Applicazioni

• Adatto per convertitori buck sincroni negli alimentatori
• Ideale per azionamenti di motori CC che richiedono una gestione di corrente elevata
• Utilizzato per regolatori di punto di carico in apparecchiature server e di telecomunicazioni
• Può essere utilizzato per i sistemi di gestione delle batterie nell'accumulo di energia
• Adatto per interruttori di carico ad alta corrente su circuiti stampati compatti

Quale intervallo termico può tollerare durante il funzionamento?

È specificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, consentendo l'uso in ambienti con forti variazioni di temperatura.

Quale contenitore e stile di montaggio utilizza per l'assemblaggio del circuito stampato?

Il dispositivo è fornito in un contenitore TDSON a 8 pin progettato per il posizionamento a montaggio superficiale e assemblaggi a basso profilo.

Il tipo di canale e la modalità di funzionamento sono adatti per le comuni topologie di potenza?

Utilizza un canale di tipo P in modalità di potenziamento, adatto per progetti che richiedono un dispositivo a canale P con caratteristiche di conduzione controllate.

Quanto è compatto il componente per layout di schede ristretti?

L'altezza del contenitore è di 1,1 mm e l'ingombro supporta un posizionamento compatto mantenendo al contempo una capacità di corrente elevata.