2 Transistor di potenza Infineon Duale, canale Tipo N, 35 mΩ, 20 A 100 V, TDSON, Superficie Miglioramento, 8 Pin
- Codice RS:
- 220-7425
- Codice costruttore:
- IPG20N10S4L35ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 5000 + | 0,396 € | 1.980,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 220-7425
- Codice costruttore:
- IPG20N10S4L35ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | Transistor di potenza | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 20A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Tipo di package | TDSON | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 35mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 43W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 13.4nC | |
| Configurazione transistor | Duale | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 5.15mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Altezza | 1mm | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto Transistor di potenza | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 20A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Tipo di package TDSON | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 35mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 43W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 13.4nC | ||
Configurazione transistor Duale | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 5.15mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Altezza 1mm | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Infineon offre un'ampia gamma di MOSFET di potenza qualificati per uso automobilistico a canale N 75V-100V utilizzando la nuova tecnologia OptiMOS in vari contenitori una gamma RDS(ON) da 1.2mΩ a 190mΩReducing CO2 di emissioni di 48V delle autovetture sta accelerando l'adozione della rete di schede 48V e quindi i generatori di avviamento come (inverter principale), Interruttori principali della batteria, convertitore c.c.-c-c. e dispositivi ausiliari 48V. Infineon offre un'ampia gamma di MOSFET 80V e 100V per il settore automobilistico per questo mercato emergente. Che sono alloggiati in diversi tipi di contenitore come TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8), TOLT (HDSOP-16), SSO8 (TDSON-8) e S308 (TSDSON-8), al fine di fornire soluzioni per diversi requisiti di potenza, nonché diversi concetti di raffreddamento a livello di unità di controllo elettronico (ECU). Oltre alle applicazioni 48V, i MOSFET 80V e 100V sono anche utilizzati per esempio nell'illuminazione a LED, nell'iniezione di carburante e nella ricarica wireless all'interno dei veicoli.
Livello logico doppio canale N - modalità potenziata
Certificazione AEC Q101
MSL1 con riflusso di picco fino a 260 °C
Temperatura d'esercizio: 175 °C
Prodotto non inquinante (conformità RoHS)
Testato al 100% con effetto valanga
Il doppio Super S08 può sostituire più DPAK per un notevole risparmio sull'area del circuito stampato e una riduzione dei costi a livello di sistema.
Il filo di collegamento è 200um per un massimo di 20A di corrente
Collegamento del telaio del cavo della sorgente più grande per il collegamento del filo
Contenitore: PG-TDSON-8-4
Stesse prestazioni termiche ed elettriche di un DPAK con la stessa dimensione dello stampo.
Il tampone esposto fornisce un'eccellente trasferimento termico (varia in base alle dimensioni dello stampo)
Due MOSFET a canale N in un contenitore con 2 conduttori isolati telai
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