2 Transistor di potenza Infineon Duale, canale Tipo N, 22 mΩ, 20 A 100 V, TDSON, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Codice RS:
222-4680
Codice costruttore:
IPG20N10S4L22ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

Transistor di potenza

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

20A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

CoolMOS

Tipo di package

TDSON

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

22mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

60W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

21nC

Configurazione transistor

Duale

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

AEC-Q101

Lunghezza

5.15mm

Altezza

1mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il design Infineon dei MOSFET, noti anche come transistor MOSFET, sta per 'transistor a effetto di campo' di ossido di metallo. I MOSFET sono dispositivi transistor controllati da un condensatore. “Effetto campo” vuol dire che sono controllati dalla tensione. Lo scopo di un MOSFET è quello di controllare il flusso di corrente dalla sorgente ai terminali di scarico.

Prodotto non inquinante (conformità RoHS)

MSL1 fino a 260 °C con certificazione AEC Q101 per la saldatura a riflusso Peak

OptiMOS™ - MOSFET di potenza per applicazioni automobilistiche

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