2 Transistor di potenza Infineon Duale, canale Tipo N, 22 mΩ, 20 A 100 V, TDSON, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
222-4681
Codice costruttore:
IPG20N10S4L22ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

Transistor di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

20A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TDSON

Serie

CoolMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

22mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

21nC

Dissipazione di potenza massima Pd

60W

Tensione diretta Vf

1V

Configurazione transistor

Duale

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

AEC-Q101

Lunghezza

5.15mm

Larghezza

5.9 mm

Altezza

1mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il design Infineon dei MOSFET, noti anche come transistor MOSFET, sta per 'transistor a effetto di campo' di ossido di metallo. I MOSFET sono dispositivi transistor controllati da un condensatore. “Effetto campo” vuol dire che sono controllati dalla tensione. Lo scopo di un MOSFET è quello di controllare il flusso di corrente dalla sorgente ai terminali di scarico.

Prodotto non inquinante (conformità RoHS)

MSL1 fino a 260 °C con certificazione AEC Q101 per la saldatura a riflusso Peak

OptiMOS™ - MOSFET di potenza per applicazioni automobilistiche

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