2 Transistor di potenza Infineon Duale, canale Tipo N, 22 mΩ, 20 A 100 V, TDSON, Superficie Miglioramento, 8 Pin
- Codice RS:
- 222-4681
- Codice costruttore:
- IPG20N10S4L22ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per confezione* |
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 222-4681
- Codice costruttore:
- IPG20N10S4L22ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | Transistor di potenza | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 20A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Tipo di package | TDSON | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 22mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 21nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 60W | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Configurazione transistor | Duale | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 5.15mm | |
| Altezza | 1mm | |
| Standard/Approvazioni | AEC-Q101 | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto Transistor di potenza | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 20A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Serie CoolMOS | ||
Tipo di package TDSON | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 22mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 21nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 60W | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Configurazione transistor Duale | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 5.15mm | ||
Altezza 1mm | ||
Standard/Approvazioni AEC-Q101 | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il design Infineon dei MOSFET, noti anche come transistor MOSFET, sta per 'transistor a effetto di campo' di ossido di metallo. I MOSFET sono dispositivi transistor controllati da un condensatore. “Effetto campo” vuol dire che sono controllati dalla tensione. Lo scopo di un MOSFET è quello di controllare il flusso di corrente dalla sorgente ai terminali di scarico.
Prodotto non inquinante (conformità RoHS)
MSL1 fino a 260 °C con certificazione AEC Q101 per la saldatura a riflusso Peak
OptiMOS™ - MOSFET di potenza per applicazioni automobilistiche
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