2 Transistor di potenza Infineon Duale, canale Tipo N, 7.6 mΩ, 20 A 40 V, TDSON, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Codice RS:
218-3057
Codice costruttore:
IPG20N04S408AATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

Transistor di potenza

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

20A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

IPG20

Tipo di package

TDSON

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

7.6mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

28nC

Dissipazione di potenza massima Pd

65W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

0.9V

Configurazione transistor

Duale

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

1mm

Lunghezza

5.15mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

5.9 mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET per uso automobilistico a canale N Infineon 20V-40V. Il tampone esposto fornisce un'eccellente trasferimento termico (varia in base alle dimensioni dello stampo).

Livello normale doppio canale N - modalità di miglioramento

Temperatura d'esercizio: 175 °C

Testato al 100% con effetto valanga

Possibile per l'ispezione ottica automatica (AOI)

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