2 Transistor di potenza Infineon Duale, canale Tipo N, 7.6 mΩ, 20 A 40 V, TDSON, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*

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Codice RS:
218-3057
Codice costruttore:
IPG20N04S408AATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

Transistor di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

20A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

IPG20

Tipo di package

TDSON

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

7.6mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

0.9V

Dissipazione di potenza massima Pd

65W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

28nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Configurazione transistor

Duale

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

1mm

Lunghezza

5.15mm

Larghezza

5.9 mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET per uso automobilistico a canale N Infineon 20V-40V. Il tampone esposto fornisce un'eccellente trasferimento termico (varia in base alle dimensioni dello stampo).

Livello normale doppio canale N - modalità di miglioramento

Temperatura d'esercizio: 175 °C

Testato al 100% con effetto valanga

Possibile per l'ispezione ottica automatica (AOI)

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