2 Transistor di potenza Infineon Duale, canale Tipo N, 36 mΩ, 20 A 100 V, TDSON, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*

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Codice RS:
218-3059
Codice costruttore:
IPG20N10S436AATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

Transistor di potenza

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

20A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

OptiMOS-T2

Tipo di package

TDSON

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

36mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

9.4nC

Dissipazione di potenza massima Pd

43W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1V

Configurazione transistor

Duale

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

1mm

Lunghezza

5.15mm

Standard/Approvazioni

AEC Q101, RoHS

Larghezza

5.9 mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET per uso automobilistico a doppio canale N serie Infineon OptiMOS™-T2. È possibile eseguire l'ispezione ottica automatica (AOI).

Dual N-channel - modalità Enhancement (miglioramento)

Testato al 100% con effetto valanga

Temperatura d'esercizio: 175 °C

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