MOSFET Infineon, canale N, 0,0076 Ω, 20 A, SuperSO8 5 x 6 doppio, Montaggio superficiale

Codice RS:: 218-3058
Codice costruttore:: IPG20N04S408AATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 0,0076 Ω, 20 A, SuperSO8 5 x 6 doppio, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 218-3058
Codice costruttore:: IPG20N04S408AATMA1
Costruttore:: Infineon

Datasheet - IPG20N04S408AATMA1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	20 A
Tensione massima drain source	40 V
Serie	OptiMOS™ -T2
Tipo di package	SuperSO8 5 x 6 doppio
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	0,0076 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	2

MOSFET Infineon, canale N, 0,0076 Ω, 20 A, SuperSO8 5 x 6 doppio, Montaggio superficiale

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