MOSFET di potenza Infineon, canale Tipo N 40 V, 7.6 mΩ Miglioramento, 20 A, 8 Pin, TDSON-8-4, Superficie

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

8,88 €

(IVA esclusa)

10,835 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 90 unità in spedizione dal 05 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
5 - 451,776 €8,88 €
50 - 4951,616 €8,08 €
500 - 9951,268 €6,34 €
1000 - 24951,244 €6,22 €
2500 +1,214 €6,07 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
273-2628
Codice costruttore:
BSC076N04NDATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

20A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

OptiMOS-T2

Tipo di package

TDSON-8-4

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

7.6mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

65W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

28nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56

Standard automobilistico

No

Quello di Infineon è un MOSFET di potenza a canale N da 40 V. Questo MOSFET è ottimizzato per le applicazioni di pilotaggio ed è testato al 100% a valanga. È qualificato per le applicazioni industriali in base ai test di JEDEC47 20 2.

Senza alogeni

Conforme a RoHS

Placcatura senza piombo

MOSFET a commutazione rapida

Eccellente resistenza termica

Link consigliati