MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 7.6 mΩ N, 180 A, 8 Pin, TDSON, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*

2010,00 €

(IVA esclusa)

2450,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 26 maggio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
5000 +0,402 €2.010,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
258-7009
Codice costruttore:
BSC076N06NS3GATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

180A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

BSC

Tipo di package

TDSON

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

7.6mΩ

Modalità canale

N

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il transistor di potenza Infineon OptiMOS 3 è la scelta perfetta per il raddrizzamento sincrono negli alimentatori a modalità commutata, come quelli presenti nei server, nei desktop e nei caricabatterie per tablet. Inoltre, questi dispositivi possono essere utilizzati per un'ampia gamma di applicazioni industriali, tra cui il controllo dei motori, i microinverter solari e i convertitori CC-CC a commutazione rapida.

Resistenza molto bassa RDS

Ideale per le applicazioni di commutazione rapida

Conforme a RoHS

Massima efficienza del sistema

Link consigliati