MOSFET Infineon, canale N 60 V, 0.7 mΩ N, 381 A, 8 Pin, TDSON, Superficie BSC027N06LS5ATMA1
- Codice RS:
- 241-9875
- Codice costruttore:
- BSC027N06LS5ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 241-9875
- Codice costruttore:
- BSC027N06LS5ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 381A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | TDSON | |
| Serie | BSC0 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.7mΩ | |
| Modalità canale | N | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 80nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 81W | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | +150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 381A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package TDSON | ||
Serie BSC0 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.7mΩ | ||
Modalità canale N | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 80nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 81W | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento +150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET Infineon serie BSC0, tensione massima della sorgente di drenaggio di 60 V, corrente di drenaggio continua massima di 381 A - BSC027N06LS5ATMA1
Questo MOSFET è un transistor di potenza a canale N ad alta corrente progettato per applicazioni a montaggio superficiale in cui sono richieste commutazione efficiente e resistenza termica in intervalli di temperatura impegnativi. Funziona come interruttore logico-compatibile per gli stadi di potenza, fornendo una notevole capacità di corrente continua pur rimanendo adatto per layout di schede e assemblaggi compatti che richiedono una bassa resistenza in stato attivo e caratteristiche di azionamento del gate controllate.
Caratteristiche e vantaggi:
• I limiti di tensione di drenaggio di 60 V consentono una robusta commutazione a media tensione
• La corrente continua 381 A offre un'elevata capacità di carico sostenuto
• Rds(on) di 0,7 mΩ riduce le perdite di conduzione sotto carichi pesanti
• La dissipazione di potenza di 81 W consente un notevole spazio termico
• La carica gate tipica di 80 nC supporta una commutazione più rapida con un azionamento moderato
• La tensione del diodo in avanti di 1,2 V riduce al minimo le sollecitazioni di recupero durante la commutazione
• La corrente continua 381 A offre un'elevata capacità di carico sostenuto
• Rds(on) di 0,7 mΩ riduce le perdite di conduzione sotto carichi pesanti
• La dissipazione di potenza di 81 W consente un notevole spazio termico
• La carica gate tipica di 80 nC supporta una commutazione più rapida con un azionamento moderato
• La tensione del diodo in avanti di 1,2 V riduce al minimo le sollecitazioni di recupero durante la commutazione
Applicazioni
• Adatto per le fasi di azionamento del motore ad alta corrente su schede compatte
• Ideale per la rettifica sincrona nei convertitori di potenza
• Utilizzato con sistemi di gestione della batteria che richiedono una bassa perdita di conduzione
• Può essere utilizzato per gli stadi di commutazione nei moduli di alimentazione CC-CC
• Adatto per azionamenti industriali che operano a temperature elevate
• Ideale per la rettifica sincrona nei convertitori di potenza
• Utilizzato con sistemi di gestione della batteria che richiedono una bassa perdita di conduzione
• Può essere utilizzato per gli stadi di commutazione nei moduli di alimentazione CC-CC
• Adatto per azionamenti industriali che operano a temperature elevate
Quale margine di azionamento del gate è consigliato per una commutazione affidabile?
Un gate drive fino al massimo di 20 V Vgs è consentito, ma l'azionamento a livello logico tipico deve considerare la carica del gate di 80 nC quando si dimensiona il driver per ottenere le velocità di transizione desiderate.
In che modo le prestazioni termiche influiscono sul layout e sul raffreddamento?
Con una dissipazione nominale massima di 81 W, il design della scheda deve fornire un'adeguata area di rame e vie termiche per condurre il calore lontano dal contenitore TDSON per un funzionamento a corrente elevata sostenuto.
Quale intervallo ambientale può tollerare durante il funzionamento?
Funziona in un ampio intervallo ambiente da -55 °C a +150 °C, supportando i progetti esposti a temperature estreme.
In che modo il comportamento intrinseco del diodo influisce sugli eventi di commutazione?
La caratteristica del diodo in avanti da 1,2 V riduce la tensione di recupero inversa di picco durante i cambi di modalità, influenzando i requisiti di snubber e morsetto.
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