MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 0.7 mΩ N, 381 A, 8 Pin, TDSON, Superficie BSC110N15NS5ATMA1
- Codice RS:
- 241-9972
- Codice costruttore:
- BSC110N15NS5ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 unità*
2,34 €
(IVA esclusa)
2,85 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 28 maggio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità |
|---|---|
| 1 - 9 | 2,34 € |
| 10 - 24 | 2,23 € |
| 25 - 49 | 2,17 € |
| 50 - 99 | 2,04 € |
| 100 + | 1,91 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 241-9972
- Codice costruttore:
- BSC110N15NS5ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 381A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | TDSON | |
| Serie | BSC | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.7mΩ | |
| Modalità canale | N | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 81W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 80nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 381A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package TDSON | ||
Serie BSC | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.7mΩ | ||
Modalità canale N | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 81W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 80nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
Il transistor di potenza Infineon Optimos 5 è un MOSFET a canale N ideale per la commutazione ad alta frequenza e la rettifica sincrona. È conforme alle specifiche JEDEC per l'applicazione di destinazione.
La resistenza in stato attivo è molto bassa
La temperatura d'esercizio è di 150 gradi centigradi
Link consigliati
- MOSFET Infineon 76 A Montaggio superficiale
- MOSFET Infineon 76 A Montaggio superficiale
- MOSFET Infineon 90 A Montaggio superficiale
- MOSFET Infineon 134 A Montaggio superficiale
- MOSFET Infineon 120 A Montaggio superficiale
- MOSFET Infineon 112 A Montaggio superficiale
- MOSFET Infineon 235 A Montaggio superficiale
- MOSFET Infineon 79 A Montaggio superficiale
