MOSFET Infineon, canale N 60 V, 0.7 mΩ N, 381 A, 8 Pin, TDSON, Superficie

Codice RS:: 241-9874
Codice costruttore:: BSC027N06LS5ATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N 60 V, 0.7 mΩ N, 381 A, 8 Pin, TDSON, Superficie

Prezzo per 5000 unità, in una bobina da 5000*

3705,00 €

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Codice RS:: 241-9874
Codice costruttore:: BSC027N06LS5ATMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	381A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	60V
	Tipo di package	TDSON
	Serie	BSC0
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	0.7mΩ
	Modalità canale	N
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	80nC
	Dissipazione di potenza massima Pd	81W
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Temperatura massima di funzionamento	+150°C
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Infineon
	Tipo di canale N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 381A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V
	Tipo di package TDSON
	Serie BSC0
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.7mΩ
	Modalità canale N
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 80nC
	Dissipazione di potenza massima Pd 81W
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Temperatura massima di funzionamento +150°C
	Standard/Approvazioni RoHS
	Standard automobilistico No

Datasheet - BSC027N06LS5ATMA1

MOSFET Infineon serie BSC0, tensione massima della sorgente di drenaggio di 60 V, corrente di drenaggio continua massima di 381 A - BSC027N06LS5ATMA1

Questo MOSFET è un transistor di potenza a canale N ad alta corrente progettato per applicazioni a montaggio superficiale in cui sono richieste commutazione efficiente e resistenza termica in intervalli di temperatura impegnativi. Funziona come interruttore logico-compatibile per gli stadi di potenza, fornendo una notevole capacità di corrente continua pur rimanendo adatto per layout di schede e assemblaggi compatti che richiedono una bassa resistenza in stato attivo e caratteristiche di azionamento del gate controllate.

Caratteristiche e vantaggi:

• I limiti di tensione di drenaggio di 60 V consentono una robusta commutazione a media tensione
• La corrente continua 381 A offre un'elevata capacità di carico sostenuto
• Rds(on) di 0,7 mΩ riduce le perdite di conduzione sotto carichi pesanti
• La dissipazione di potenza di 81 W consente un notevole spazio termico
• La carica gate tipica di 80 nC supporta una commutazione più rapida con un azionamento moderato
• La tensione del diodo in avanti di 1,2 V riduce al minimo le sollecitazioni di recupero durante la commutazione

Applicazioni

• Adatto per le fasi di azionamento del motore ad alta corrente su schede compatte
• Ideale per la rettifica sincrona nei convertitori di potenza
• Utilizzato con sistemi di gestione della batteria che richiedono una bassa perdita di conduzione
• Può essere utilizzato per gli stadi di commutazione nei moduli di alimentazione CC-CC
• Adatto per azionamenti industriali che operano a temperature elevate

Quale margine di azionamento del gate è consigliato per una commutazione affidabile?

Un gate drive fino al massimo di 20 V Vgs è consentito, ma l'azionamento a livello logico tipico deve considerare la carica del gate di 80 nC quando si dimensiona il driver per ottenere le velocità di transizione desiderate.

In che modo le prestazioni termiche influiscono sul layout e sul raffreddamento?

Con una dissipazione nominale massima di 81 W, il design della scheda deve fornire un'adeguata area di rame e vie termiche per condurre il calore lontano dal contenitore TDSON per un funzionamento a corrente elevata sostenuto.

Quale intervallo ambientale può tollerare durante il funzionamento?

Funziona in un ampio intervallo ambiente da -55 °C a +150 °C, supportando i progetti esposti a temperature estreme.

In che modo il comportamento intrinseco del diodo influisce sugli eventi di commutazione?

La caratteristica del diodo in avanti da 1,2 V riduce la tensione di recupero inversa di picco durante i cambi di modalità, influenzando i requisiti di snubber e morsetto.