MOSFET di potenza Infineon, canale Tipo N 40 V, 7.6 mΩ Miglioramento, 20 A, 8 Pin, TDSON-8-4, Superficie

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Codice RS:
273-2627
Codice costruttore:
BSC076N04NDATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

20A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

TDSON-8-4

Serie

OptiMOS-T2

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

7.6mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

28nC

Dissipazione di potenza massima Pd

65W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56

Standard automobilistico

No

Quello di Infineon è un MOSFET di potenza a canale N da 40 V. Questo MOSFET è ottimizzato per le applicazioni di pilotaggio ed è testato al 100% a valanga. È qualificato per le applicazioni industriali in base ai test di JEDEC47 20 2.

Senza alogeni

Conforme a RoHS

Placcatura senza piombo

MOSFET a commutazione rapida

Eccellente resistenza termica

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