MOSFET di potenza Infineon, canale N 30 V, 1.1 mΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, PG-TDSON-8, Superficie

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Codice RS:
273-2814
Codice costruttore:
ISC011N03L5SATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

OptiMOSTM

Tipo di package

PG-TDSON-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

72nC

Dissipazione di potenza massima Pd

96W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS

Standard automobilistico

No

Quello di Infineon è un MOSFET a canale N ottimizzato per i convertitori buck ad alte prestazioni. Questo MOSFET è qualificato secondo JEDEC ed è privo di alogeni in conformità a IEC61249 2 21.

Conforme a RoHS

Placcatura senza piombo

Resistenza di accensione molto bassa

Eccellente resistenza termica

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