MOSFET di potenza OptiMOST Infineon, canale Tipo N 30 V, 4.5 mΩ Miglioramento, 63 A, 8 Pin, PG-TDSON-8, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*

890,00 €

(IVA esclusa)

1085,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 22 giugno 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
5000 +0,178 €890,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
273-3039
Codice costruttore:
ISC045N03L5SATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza OptiMOST

Massima corrente di scarico continua Id

63A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

ISC

Tipo di package

PG-TDSON-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

13nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

0.89V

Dissipazione di potenza massima Pd

30W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza a bassa tensione Infineon offre un'ampia accessibilità e un rapporto prezzo/prestazioni competitivo.

Consente soluzioni economiche

Spedizione rapida

Facile da progettare

Link consigliati