MOSFET di potenza Infineon, canale Tipo N 150 V, 10.5 mΩ Miglioramento, 76 A, 8 Pin, PG-TDSON-8, Superficie

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Codice RS:
349-397
Codice costruttore:
BSC105N15LS5ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

76A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Tipo di package

PG-TDSON-8

Serie

OptiMOS 5

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

10.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

125W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

34nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
La famiglia di MOSFET di potenza OptiMOS 5 Infineon a livello logico da 150 V offre le stesse eccellenti prestazioni dei prodotti OptiMOS 5 a 150 V con la possibilità di funzionare con soli 4,5 V di Vgs. Le sue caratteristiche sono una migliore gestione termica e una minore complessità del sistema.

Perdite di commutazione molto basse

Adatti a SR che forniscono 5 V

Progetti ad alta efficienza

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