MOSFET di potenza Infineon, canale Tipo N 150 V, 10.5 mΩ Miglioramento, 76 A, 8 Pin, PG-TDSON-8, Superficie

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

11,91 €

(IVA esclusa)

14,53 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 13 luglio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
5 - 452,382 €11,91 €
50 - 952,262 €11,31 €
100 - 4952,092 €10,46 €
500 - 9951,928 €9,64 €
1000 +1,856 €9,28 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
349-397
Codice costruttore:
BSC105N15LS5ATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

76A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Tipo di package

PG-TDSON-8

Serie

OptiMOS 5

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

10.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

34nC

Dissipazione di potenza massima Pd

125W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
La famiglia di MOSFET di potenza OptiMOS 5 Infineon a livello logico da 150 V offre le stesse eccellenti prestazioni dei prodotti OptiMOS 5 a 150 V con la possibilità di funzionare con soli 4,5 V di Vgs. Le sue caratteristiche sono una migliore gestione termica e una minore complessità del sistema.

Perdite di commutazione molto basse

Adatti a SR che forniscono 5 V

Progetti ad alta efficienza

Link consigliati