2 Transistor di potenza Infineon Duale, canale Tipo N, 35 mΩ, 20 A 100 V, TDSON, Superficie Miglioramento, 8 Pin
- Codice RS:
- 220-7426
- Codice costruttore:
- IPG20N10S4L35ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 confezione da 15 unità*
17,145 €
(IVA esclusa)
20,91 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
- 14.895 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 1,143 € | 17,15 € |
| 75 - 135 | 1,085 € | 16,28 € |
| 150 - 360 | 1,039 € | 15,59 € |
| 375 - 735 | 0,993 € | 14,90 € |
| 750 + | 0,925 € | 13,88 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 220-7426
- Codice costruttore:
- IPG20N10S4L35ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | Transistor di potenza | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 20A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Tipo di package | TDSON | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 35mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 43W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 13.4nC | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Configurazione transistor | Duale | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Lunghezza | 5.15mm | |
| Altezza | 1mm | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto Transistor di potenza | ||
Massima corrente di scarico continua Id 20A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Tipo di package TDSON | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 35mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 43W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 13.4nC | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Configurazione transistor Duale | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Lunghezza 5.15mm | ||
Altezza 1mm | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Link consigliati
- 2 Transistor di potenza Infineon Duale 35 mΩ TDSON 8 Pin
- 2 Transistor di potenza Infineon Duale 65 mΩ TDSON 8 Pin
- 2 Transistor di potenza Infineon Duale 7.6 mΩ TDSON 8 Pin
- 2 Transistor di potenza Infineon Duale 22 mΩ TDSON 8 Pin
- 2 Transistor di potenza Infineon Duale 36 mΩ TDSON 8 Pin
- 2 Transistor di potenza Infineon Duale 61 mΩ TDSON 8 Pin
- 2 Transistor di potenza Infineon Duale 7.2 mΩ TDSON 8 Pin
- MOSFET Infineon Duale 35 mΩ TDSON Miglioramento, 8 Pin
