Transistor MOSFET + diodo Infineon, canale N, 0,035 O, 20 A, SuperSO8 5 x 6, Montaggio superficiale

Infineon offre un'ampia gamma di MOSFET di potenza qualificati per uso automobilistico a canale N 75V-100V utilizzando la nuova tecnologia OptiMOS in vari contenitori una gamma RDS(ON) da 1.2mΩ a 190mΩReducing CO2 di emissioni di 48V delle autovetture sta accelerando l'adozione della rete di schede 48V e quindi i generatori di avviamento come (inverter principale), Interruttori principali della batteria, convertitore c.c.-c-c. e dispositivi ausiliari 48V. Infineon offre un'ampia gamma di MOSFET 80V e 100V per il settore automobilistico per questo mercato emergente. Che sono alloggiati in diversi tipi di contenitore come TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8), TOLT (HDSOP-16), SSO8 (TDSON-8) e S308 (TSDSON-8), al fine di fornire soluzioni per diversi requisiti di potenza, nonché diversi concetti di raffreddamento a livello di unità di controllo elettronico (ECU). Oltre alle applicazioni 48V, i MOSFET 80V e 100V sono anche utilizzati per esempio nell'illuminazione a LED, nell'iniezione di carburante e nella ricarica wireless all'interno dei veicoli.

Livello logico doppio canale N - modalità potenziata
Certificazione AEC Q101
MSL1 con riflusso di picco fino a 260 °C
Temperatura d'esercizio: 175 °C
Prodotto non inquinante (conformità RoHS)
Testato al 100% con effetto valanga
Il doppio Super S08 può sostituire più DPAK per un notevole risparmio sull'area del circuito stampato e una riduzione dei costi a livello di sistema.
Il filo di collegamento è 200um per un massimo di 20A di corrente
Collegamento del telaio del cavo della sorgente più grande per il collegamento del filo
Contenitore: PG-TDSON-8-4
Stesse prestazioni termiche ed elettriche di un DPAK con la stessa dimensione dello stampo.
Il tampone esposto fornisce un'eccellente trasferimento termico (varia in base alle dimensioni dello stampo)
Due MOSFET a canale N in un contenitore con 2 conduttori isolati telai