MOSFET Infineon, canale Tipo N 55 V, 35 mΩ Miglioramento, 30 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

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Codice RS:
919-4898
Codice costruttore:
IRLZ34NPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

30A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

35mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

25nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16 V

Tensione diretta Vf

1.3V

Dissipazione di potenza massima Pd

68W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

8.77mm

Larghezza

4.69 mm

Lunghezza

10.54mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 30 A, dissipazione di potenza massima di 68 W - IRLZ34NPBF


Questo MOSFET a canale N ad alte prestazioni è progettato per garantire l'efficienza in varie applicazioni elettroniche. Ha una corrente di drain continua massima di 30A e può gestire tensioni drain-source fino a 55V. La capacità di modalità avanzata garantisce il funzionamento in varie condizioni, rendendolo un componente prezioso per la gestione dell'energia in diversi settori.

Caratteristiche e vantaggi


• La bassa resistenza di accensione di 35mΩ riduce la perdita di potenza

• L'elevata capacità di dissipazione di potenza, pari a 68 W, migliora le prestazioni

• L'intervallo di temperatura di esercizio da -55°C a +175°C garantisce la versatilità

• La carica tipica del gate di 25nC a 5 V consente una commutazione più rapida

• Il pacchetto compatto TO-220AB consente un layout efficiente della PCB

Applicazioni


• Utilizzato nei convertitori DC-DC per un'efficiente conversione di potenza

• Adatta per i circuiti di pilotaggio dei motori nell'automazione industriale

• Efficace nei sistemi di gestione dell'energia per le energie rinnovabili

• Utilizzato nella commutazione ad alta velocità per le telecomunicazioni

Qual è la tensione massima del gate-source?


Il dispositivo è in grado di sopportare una tensione massima gate-source di ±16V, garantendo un funzionamento sicuro in vari circuiti.

In che modo la temperatura influisce sulle sue prestazioni?


Il MOSFET funziona in modo efficiente in un intervallo di temperatura compreso tra -55°C e +175°C, mantenendo la stabilità in condizioni estreme.

Può essere utilizzato in applicazioni ad alta frequenza?


Sì, è stato progettato con una carica di gate tipica di 25nC a 5 V, che lo rende adatto ad applicazioni ad alta frequenza come gli amplificatori RF.

Quali sono le implicazioni di una Rds(on) bassa?


Un valore Rds(on) più basso riduce significativamente la generazione di calore e le perdite di potenza, migliorando l'efficienza complessiva dei progetti di alimentazione.

È compatibile con diversi circuiti elettronici?


Questo dispositivo è versatile e può essere integrato in diverse configurazioni di circuito, compresa l'elettronica di potenza automobilistica e industriale.

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