MOSFET Infineon, canale N 55 V, 35 mΩ Miglioramento, 30 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IPD26N06S2L35ATMA2

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
223-8515
Codice costruttore:
IPD26N06S2L35ATMA2
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

30A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Tipo di package

TO-263

Serie

OptiMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

35mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

950mV

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

1nC

Dissipazione di potenza massima Pd

68W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET a canale N serie Infineon OptiMOS in contenitore DPAK. Offre i vantaggi della capacità di corrente più elevata, le perdite di potenza di conduzione e commutazione più basse per la massima efficienza termica e contenitori robusti con qualità e affidabilità superiori.

Qualifica per uso automobilistico AEC Q101

MSL1 •fino a 260 °C Peak Reflow

Temperatura d'esercizio •175 °C.

•pacchetto verde

RDS ultra bassa •

Testato con effetto valanga •100%

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