MOSFET Infineon, canale Tipo N 55 V, 12 mΩ Miglioramento, 86 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

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Codice RS:
165-8219
Codice costruttore:
IRL3705ZSTRLPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

86A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

12mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

40nC

Dissipazione di potenza massima Pd

130W

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

4.83mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.67mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN

MOSFET di potenza a canale N da 55 V, Infineon


La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminali e fattori di forma adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

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